火星財經訊，8 月 28 日，據《首爾經濟日報》報導，三星電子正根據英偉達的要求開發 8 層 HBM4E 產品，擬用於英偉達定制的高頻寬存儲器 NVHBM。該方案較三星原先準備的 12 層和 16 層產品減少堆疊層數，英偉達提出的目标速度為 17 至 18Gbps，較三星早期 HBM4E 樣品的 14.4Gbps 提高約 20%。採用 8 層設計可降低晶圓減薄、精密堆疊及後端封裝的難度，減輕良率壓力並提升供應能力。NVHBM 可能從預計明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 開始應用。Rubin Ultra 的 GPU 互連規模將由現有的 72 顆擴大至最多 576 顆，以更多高速 GPU 協同運作來彌補單顆 GPU 存儲容量的下降。三星同時具備 DRAM、邏輯晶片及基礎裸晶的設計與生產能力，可為定制 HBM 提供一站式服務。業內人士認為，三星已在 HBM4 上展現較高的傳輸速度，在英偉達將競爭重點由高堆疊轉向高速傳輸後，其相關能力可能獲得更多關注。
三星正在為 NVIDIA 的 NVHBM 開發 8 層 HBM4E
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精華摘要
三星應 NVIDIA 的要求，正開發一款 8 層的 HBM4E，用於定制的 NVHBM。此設計將堆疊層數從 12-16 層減少至 8 層，目標速度為 17-18Gbps，比早期樣品快 20%。此舉簡化了生產流程，提高了良率，並支持 NVIDIA 的 Rubin Ultra AI GPU。三星提供完整的定制 HBM 解決方案，包括 DRAM 和邏輯晶片。加密貨幣新聞強調，隨著 NVIDIA 調整重點，高傳輸速度成為趨勢。業界消息指出，HBM4 的性能可能吸引更多加密貨幣新聞領域的關注。
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