Odaily星球日報訊 三星電子與 SK 海力士計劃在今年下半年增加對英偉達的 8 層 HBM4 內存供應量，這一安排主要受英偉達供應策略影響，目的是保障各類型 HBM 內存的供應穩定，同時兼顧產品發熱量。據了解，8 層內存極有可能成為下一代 HBM4E 的旗艦產品。(ZDNET Korea)
三星與 SK 海力士將於 2026 年下半年增加向 NVIDIA 供應 8 層 HBM4
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精華摘要
三星與 SK Hynix 計劃於 2026 年下半年增加供應 NVIDIA 的 8 層 HBM4 記憶體，以配合該晶片製造商管理散熱並確保產品線中 HBM 的穩定供應。8 層設計預計將成為 HBM4E 採用的關鍵支撐與阻力位。隨著需求上升，此舉可能提升針對下一代 AI 硬體的供應商之風險報酬比。
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