ChainCatcher 消息，韓國三星電子和 SK 海力士正加速佈局 HBM 及下一代存儲技術，以維持領先優勢。三星電子表示，第二季度研發投入達到創紀錄的 16 萬億韓元（約 116 億美元），並計劃擴大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存儲產品佈局。SK 海力士則正在開發 HBM5、混合鍵合及 iHBM 等下一代技術，預計今年資本支出規模達到 40 萬億韓元（約 326 億美元）。
三星與 SK Hynix 加大 HBM 研發與投資
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精華摘要
三星與 SK Hynix 正加大對 HBM 及下一代記憶體技術的研發與投資。三星在第二季度投入了 16 萬億韓元（1160 億美元）用於研發，並計劃推出 HBM4、HBM4E 和 DDR5。SK Hynix 則專注於 HBM5、混合鍵合與 iHBM 技術，今年資本支出預計將達 40 萬億韓元（3260 億美元）。此舉正值加密貨幣新聞領域強調對高性能硬體需求不斷增長之際。
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