三星與 ASML 合作開發新一代高 NA EUV 光刻技術用於 DRAM 生產

KuCoinFlash

發佈時間： 2026/09/09 00:12:01

精華摘要

三星與 ASML 合作開發用於 DRAM 的 High-NA EUV 光刻技術，這是一則重要的鏈上新聞更新。轉向 12 英寸光罩標誌著自 1980 年代以來的重大變革。三星計劃於 2028 年使用該技術實現 DRAM 的大規模生產。High-NA EUV 提供 66% 更高的數值孔徑，可實現更細緻的圖案並降低成本。加密貨幣新聞將此舉視為邁向 1.4nm 邏輯製程的一步，有助於提升三星的晶圓代工能力。

BlockBeats 消息，9 月 9 日，據首爾經濟日報，三星電子將與全球最大的光刻設備製造商 ASML 共同開發高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術。三星正參與一項旨在推動行業標準轉變的工作，即將自 20 世紀 80 年代以來一直使用的 6 英寸光掩模版轉向 12 英寸版本，並力爭率先基於高 NA EUV 設備建立 DRAM 量產體系。

三星計劃從 2028 年開始將高 NA EUV 設備應用於 DRAM 生產，隨後進一步將此技術擴展至 1.4 納米先進邏輯工藝，以推動其晶圓代工業務發展。擴大掩模版尺寸旨在彌補 EUV 技術的局限。高 NA EUV 的數值孔徑比傳統 EUV 高 66%，能夠形成更為精細的電路圖案。將目前使用的 6 英寸掩模版更換為 12 英寸掩模版，可提升晶圓廠生產效率並降低晶片製造成本。

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