中國半導體自給自足的願景剛獲得一劑強心針。中國最大的國內半導體設備製造商中微公司表示，已取得一項突破，可顯著協助長鑫存儲技術（CXMT）生產3D DRAM晶片，這種先進記憶體類別此前在缺乏西方設備的情況下極難製造。
CXMT 現為全球第四大 DRAM 生產商，佔全球市場份額約 7.7%，儘管受到美國出口限制的影響，無法獲取 EUV 光刻機等先進設備，但仍持續累積動能。
Naura 帶來的價值
Naura 尚未公開披露其宣佈的突破所涉及的具體流程、性能基準或生產時間表的詳細資訊。目前已知的是，該公司的研究方向旨在實現 3D DRAM 製造並支援高頻寬記憶體（HBM）堆疊，這兩者對於下一代計算工作負載（如 AI 訓練和推論）至關重要。
對於 CXMT 而言，能夠在國內採購該設備，而非從應用材料公司、蘭姆研究或 ASML 等公司進口，完全改變了計算方式。美國的制裁已使中國晶片製造商越來越難以取得最先進的外國設備，造成瓶頸，限制了 CXMT 等公司擴張的速度。
CXMT 的快速上漲
CXMT 操作多座 12 英寸 DRAM 製造廠，近期合計產能約為每月 300,000 片晶圓，並計劃將此數字翻倍。其在某些 DDR5 產品上的良率已超過 90%，這一指標使其與三星、SK 海力士和美光等記憶體巨頭處於競爭地位。
CXMT 的 DDR5 模組在 AMD 平台上展現了競爭力的表現。該公司於 2026 年在上海證券交易所上市，募資約 579 億元，所得資金將用於擴大 DRAM 晶圓生產線及升級製造工藝。
CXMT 亦目標於 2026 年底前實現 HBM3 的大規模生產。高頻寬記憶體是驅動 Nvidia H100 及其後續產品等 AI 加速器的動力。目前 SK Hynix 主導 HBM 市場。
制裁背景
自2022年以來，美國逐步加強對中國的半導體技術出口管制，限制成品晶片及其製造設備的出口。原本可能樂意再購買十年美國或荷蘭設備的中國企業，如今面臨巨大壓力，必須開發本土解決方案。Naura 正處於這項努力的中心。
這對記憶體市場意味著什麼
全球 DRAM 市場由三家公司主導：三星、SK 海力士和美光。CXMT 的 7.7% 市場份額已使其成為不容忽視的第四大競爭者，而其 3D DRAM 或 HBM 能力的任何加速提升，都將加劇整個行業的定價壓力。
對於美光而言，由於曾部分被禁止參與政府採購，其與中國市場的關係本就複雜，因此出現更強大的本土競爭對手無疑是一項不樂見的發展。
CXMT 將 HBM3 的目標設定為 2026 年底，雖然具有挑戰性，但根據其發展軌跡並非不可能。Naura 的設備能否實現這些先進製程所需的精密度，將是關鍵因素。