美光科技因科技巨頭鎖定多年記憶體供應而上漲

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AI summary icon精華摘要
美光科技(NASDAQ:MU)週二上漲超過 3%,因 AI 帶動的記憶體晶片需求依然強勁。首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示,供應緊張狀況可能持續至 2028 年。SK Hynix 和三星也從這場短缺中受益。然而,新進者如中國的 CXMT 以及價格下跌構成風險。交易員正關注恐懼與貪婪指數,以觀察市場情緒的變化。若風險偏好提升,值得关注的山寨幣可能迎來更多關注。

週二,儘管指數合約走弱,交易員仍重新進場買入高貝塔值半導體股,美光科技公司(NASDAQ:MU)股價上漲超過 3%。

納斯達克合約上漲 0.74%,而標普 500 合約在撰寫時上漲 0.32%。

Micron 的相對強勢出現在從年中高點回調之後,投資者持續權衡緊張的記憶體供應與 AI 驅動的需求,對比未來產能擴張最終可能再次造成供過於求的風險。

記憶體供應仍為關鍵驅動力

美光仍受 AI 基礎設施對記憶體強勁需求的推動,而業界專家持續預期,由於製造商正努力增加產能,供應限制將持續存在。

較長期的討論集中在:未來數年隨著額外產能陸續投入,AI 需求是否能持續吸收新的記憶體產量。

Cramer 在記憶體股中偏好美光

吉姆·克雷默表示,他更偏好美光而非西部數據公司(NASDAQ:WDC),並指出美光具有更強大的技術優勢。

Cramer 於週二承認,西部數據的股票已經大幅下跌,且可能繼續下跌,但他表示在兩者之間,他更偏好美光。

他的觀點出現在記憶體和儲存股儘管受到人工智慧基礎設施強勁的基本需求支撐,仍處於波動狀態。

專家認為短缺狀況將持續至 2028 年及以後

GraniteShares 執行長 Will Rhind 在七月表示,華爾街可能仍低估了高頻寬記憶體短缺會持續多久。他指出,擴充產能需要數年時間,而人工智慧基礎設施的支出依然強勁,這將造成供應失衡,並可能持續至 2028 年。

約克維爾美國公司首席執行官史蒂夫·尼姆茨於九月表示,能夠顯著緩解短缺的新晶圓廠可能要到2028年或2029年才能實現滿產。他指出,HBM每GB所消耗的製造能力約為傳統記憶體的三倍,而需求也正擴散至NAND儲存領域。

美光科技首席執行官桑傑·梅赫羅特拉表示,供應量預計將在 2028 年逐步改善,但公司仍無法明確預見供應量何時能追上需求。美光 2027 年的產出已有超過 75% 被預訂。

投資者羅斯·格伯於10月5日表示,他預期記憶體限制的時間可能會更長,可能持續十年,因為人工智慧基礎設施的需求將擴展至機器人等領域。他認為,即使元件價格最終下降,不斷增長的終端市場需求仍能吸收新增的產能。

SK Hynix 和 Samsung 因供應緊張而受惠

美光的主要 DRAM 和 HBM 競爭對手也從這種不平衡中受益。

於10月28日,Cantor Fitzgerald分析師C.J. Muse預期SK Hynix Inc.(NASDAQ:SKHY)將因AI基礎設施支出、長期設備交期及記憶體供應緊張而受益,直至2030年。他強調管理層指出,HBM需求量約為現有供應量的兩倍。

羅森布拉特分析師凱文·卡西迪也預期供應緊張將支持 SK Hynix,並指出 HBM4 增長、價格上漲以及長期協議涵蓋了相當大比例的未來產能。

三星電子有限公司(OTC:SSNLF)亦表示,由人工智慧推動的記憶體需求可能使2027年的供應限制比2026年更加緊張。

新供應量仍是主要風險

看漲前景仍存在重大風險。

在九月,馬丁·舒克利(Martin Shkreli)披露其持有美光的空頭持倉,警告記憶體價格下跌可能迅速削弱盈利週期。

中國的 CXMT 正在擴大 DRAM 產能,並準備進入 NAND 市場,未來可能逐步增加供應。

同時,於11月2日,Tastytrade 創辦人 Tom Sosnoff 表示,美光、英偉達公司(NASDAQ:NVDA)及超微半導體公司(NASDAQ:AMD)在經歷大規模漲勢後,跌幅尚未足夠以符合超賣條件,凸顯了長期基本面強勁與近期股價波幅持續之間的脫節。

收益與分析師展望

Micron 下一次預計的財報將於 Dec. 16, 2026 發佈。

共識預期每股收益為 $35.07,較去年同期的 $4.78 上升,營收為 $565.5 億,較去年的 $136.4 億上升。

該股票的市盈率為 11.2 倍。

MU 價格走勢:根據 Benzinga Pro 數據,週二發布時,美光科技股價上漲 3.05% 至 $859.01。


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