韓國將維持記憶體晶片領先地位直至 2031 年

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AI summary icon精華摘要
一份每日市場報告指出，受三星和 SK Hynix 推動，韓國預計將在 2031 年前主導記憶體晶片領域。HBM 的需求正從 NVIDIA GPU 擴展至 Google 等公司的 AI 加速器。Yole Group 的 Josephine Lu 註明，韓國目標在五年內將晶圓產量翻倍。研發與下一代 DRAM/NAND 的擴張將維持其領先地位。關注山寨幣動態的投資者，也可追蹤晶片產業的趨勢。

BlockBeats 消息，8 月 5 日，據韓媒報導，一項預測顯示，在三星電子和 SK 海力士等公司的大力投資下，韓國將保持其在全球記憶體晶片市場的領導地位至 2031 年。然而，對高頻寬記憶體（HBM）的需求預計將迅速從英偉達的圖形處理器（GPU）擴展至谷歌等大型科技公司自主研發的人工智慧（AI）加速器。法國市場研究公司 Yole Group 的行業分析師約瑟芬·盧於當地時間 4 日在加州舉行的 2026 年未來記憶體與儲存大會上表示，韓國將在 2031 年之前保持其在記憶體產業的領導地位。盧指出，韓國計劃在未來五年內將晶圓產能翻倍，且三星電子和 SK 海力士也加大了投資。


分析指出，隨著三星電子和 SK 海力士同步擴大下一代 DRAM（包括 HBM）和 NAND 的產能和技術研發，韓國的優勢將繼續保持。(金十)

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