Kioxia 與 SanDisk 推出 332 層 QLC NAND,配備 4800MT/s 介面

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AI summary icon精華摘要
Kioxia 與 SanDisk 於 8 月 5 日發布代幣發行訊息,並在 FMS 大會上展示其 BiCS10 3D QLC NAND 閃存晶片。這款 332 層晶片提供 37 Gb/mm² 的密度、4800MT/s 介面,以及每顆晶片高達 1.33Tb 的容量。它支援 SCA,並採用 PI-LTT 技術以降低功耗並提升訊號品質。這款新型 NAND 的位元密度高於先前的 TLC 型號,主要針對資料中心 SSD。鏈上新聞凸顯了市場持續向更高容量儲存解決方案轉移的趨勢。

火星財經訊,8 月 5 日,铠侠(Kioxia)與閃迪(Sandisk)於 Future of Memory and Storage Conference(FMS)上正式發布最新 BiCS10 3D QLC NAND 閃存晶片,號稱目前全球已正式推出的儲存密度最高的 3D NAND 產品。據介紹,該晶片採用 332 層堆疊結構,單位面積儲存密度達 37 Gb/mm²,搭載最高 4800 MT/s 高速介面,並支援獨立命令位址(SCA)功能,主要面向高容量資料中心級 SSD 市場。與此前兩家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 產品相比,其儲存密度超過 29 Gb/mm²,新款 QLC NAND 進一步提升了資料中心儲存容量密度。業界預計,在採用相近晶片尺寸和儲存單元數量的情況下,該晶片容量可能達到約 1.33Tb,但廠商尚未公佈具體容量規格。為滿足資料中心對高性能與低功耗的需求,铠侠與閃迪還引入低功耗隔離低抽頭終端(PI-LTT)技術,在提升高速訊號完整性同時降低輸出驅動功耗。兩家公司表示,基於最新 BiCS10 製程工藝,新一代 QLC NAND 不僅實現更高位密度,也有望在產能爬坡後降低製造成本,從而支持更高容量 SSD 以更具競爭力的價格進入市場。

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