高盛駁回記憶體晶片行業的三大看跌擔憂

火星財經消息，8 月 7 日，高盛亞洲首爾分部交易員 Justin Park 在今日報告中指出，韓國股市近期劇烈波動已將存儲晶片行業基本面預期壓至過度悲觀水平，市場定價隱含的基本面悲觀程度「超出實際情況」，存儲週期的強度與持續時間均可能超越以往。 高盛維持對韓國市場的超配立場及 KOSPI 未來 12 個月目標位 12,000 點不變。韓國 KOSPI 指數在 6 月 22 日高點後一度重挫 39%，7 月 31 日單日暴漲 17.9% 創歷史最大單日涨幅。高盛認為 KOSPI 此輪急跌並非基本面實質惡化，而是由對存儲週期持續性的擔憂觸發，經槓桿 ETF 被動拋售及短期動量投資者跟風賣出顯著放大。技術面已明顯改善——槓桿 ETF 規模收縮、保證金敞口下降、監管趨嚴及對沖基金倉位回落，市場籌碼結構趨於乾淨，為後續修復奠定基礎。 高盛逐條駁斥空頭三大核心擔憂。 擔憂一：英偉達擬下調 Rubin Ultra 的 HBM 配置。高盛反向解讀——這恰恰印證 HBM 供給的結構性瓶頸，HBM 已成為 AI 產業鏈中供給最緊缺的核心組件，其可獲得性將是全球 AI 產業擴張的關鍵制約因素。 擔憂二：SK 海力士 LTA 策略的機會成本。大量產能被綁定在舊款 HBM3E 生產線上，導致 SK 海力士二季度 DRAM 市場份額降至 26%，三星重回榜首升至 39%，美光與 SK 海力士差距收窄至僅 1 個百分點。高盛認為 SK 海力士下一階段競爭力取決於能否快速完成產線切換。 擔憂三：NAND「超預期但低於市場期望」的敘事引發獲利了結，消費及邊緣計算業務環比大幅下滑 32%，管理層預計 2027 年才出現實質性復蘇。高盛的結構性判斷是 DRAM 制程微縮空間趨於飽和——10 納米或將是最後一個節點，良率下降和資本開支大幅攀升將從結構上支撐存儲週期的積極判斷。 存儲需求側存在兩個積極信號：長鑫存儲已拒絕蘋果降價要求，定價與三星及 SK 海力士相當；DeepSeek 正計劃「大幅」提價，標誌著超低價補貼式 AI 推理時代走向終結。