馬斯克可能使用 FEL 技術挑戰 ASML 的 EUV 光刻技術

KuCoinFlash

發佈時間： 09/08/2026 23:42:57

ASML

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精華摘要

埃隆·馬斯克最近關於 Terafab 的 FEL 技術的評論，已改變半導體領域的支撐位與阻力位。此項目由 SpaceX 和特斯拉出資 168 億美元支持，可能挑戰 ASML 在 EUV 技術上的主導地位。FEL 在 6nm 波長和能源效率方面的潛力，為工業應用帶來了高風險與高報酬的比率。然而，可擴展性與成本仍是主要障礙。市場正密切關注項目的進展。

BlockBeats 消息，8 月 10 日，SpaceX 近日宣布將與特斯拉合作，初期投資 168 億美元，在美國得州建設 Terafab 芯片設施。有部落客發布消息稱，從 Terafab 發布的消息來看，馬斯克似乎要採用「自由電子激光器」(Free Electron Laser, FEL) 技術路線，以挑戰阿斯麥的 LPP EUV 光源，顛覆傳統 EUV 晶片生產技術的壟斷。馬斯克其後的回應，似乎印證了這種說法，他貼上「FEL FTW」（FEL For The Win）字眼。

從 Terafab 細長的廠房設計和馬斯克的回覆可見，Terafab 很可能會採用 FEL 技術。儘管馬斯克推動 FEL 僅是一種猜測，但仍引起業界熱烈討論。FEL 具備高功率、高相干、波長可調及更高能效等優勢，理論上可將光刻光源從 13.5nm 推向 6nm 甚至更短波長。然而，龐大的加速器系統、成本及量產穩定性仍是產業化最大的挑戰。（信報）

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