DRAM短缺將持續至2027年,NVIDIA重新評估Rubin Ultra HBM配置

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AI summary icon精華摘要
TrendForce 報告指出,DRAM 短缺將持續至 2027 年,而 HBM4e 認證仍不明朗。NVIDIA 正重新考慮 Rubin Ultra 的 HBM 布局,從 12 層 HBM4e 轉向 8 層 HBM4e 或 12 層 HBM4 等選項。每日市場報告指出,晶圓產能與良率問題是關鍵因素。HBM4e 生產延遲可能使 I/O 速度限制在 11–12Gbps,而非 14–16Gbps。關注的山寨幣可能對 GPU 供應變化作出反應。預計 2027 年 HBM 位元出貨量將增長 50–60%,但仍落後於需求。

Odaily星球日報訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示,根據 TrendForce 最新存儲行業研究,DRAM 供應短缺預計將持續至 2027 年,且 HBM4e 認證時間表仍存在不確定性,英偉達自 2026 年第三季度以來一直在重新評估 Rubin Ultra 的 HBM 配置。

原計劃採用 12 層堆疊 HBM4e 配置,但英偉達目前正在並行評估多種設計,包括 HBM4e 8 層堆疊、HBM4 12 層堆疊和 HBM4 8 層堆疊,最終規格尚未確認。除英偉達外,據稱部分 CSP 也在考慮降低下一代自研 ASIC 的 HBM 容量。

NVIDIA 將於 2025 年至 2026 年上半年期間,將 12 層堆疊 HBM4e 作為 Rubin Ultra 的基準設計。但自 2026 年第三季初開始,NVIDIA 開始審查較低規格的替代方案。TrendForce 表示,此一變化源於兩項主要供應端限制:其一,預計 2027 年整體 DRAM 短缺將限制記憶體廠商可分配給 HBM 生產的晶圓產能;其二,12 層堆疊 HBM4e 的認證時間表及量產良率提升速度仍存在不確定性。

TrendForce 表示,英偉達在 Rubin Ultra 代際的首要重點是提高 I/O 速度,擴大 GPU 出貨量為次要優先事項。如果英偉達最終決定下调 HBM 規格,預計將通過減少 DRAM 堆疊層數實現。HBM4e 能否按計劃完成認證並進入量產,將決定 Rubin Ultra 的 I/O 速度能否從上一代 Rubin 的 8 至 11.7Gbps 提升至 14 至 16Gbps,或通過優化 HBM4 設計維持在 11 至 12Gbps 水平。同一產品代際內,DRAM 堆疊層數決定每顆 GPU 的 HBM 容量與可出貨 GPU 數量之間的取捨。

TrendForce 認為,最終配置將取決於存儲廠商的晶圓分配決策。在供需方面,2027 年 HBM bit 出貨量預計同比增長 50% 至 60%,但仍預計無法跟上需求增長。在供應限制持續的情況下,HBM 供應商預計將在 2027 年全年保持定價權。行業已普遍預期 HBM 價格將大幅上漲,AI 芯片製造商將面臨 HBM 供應有限和採購成本上升的雙重壓力,從而進一步強化採用較低 HBM 容量配置的動力。

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