Có lẽ manh mối quý giá nhất trong những tin tức gần đây về ngành công nghiệp bộ nhớ đến từ CEO của Lam Research, Tim Archer. Trong cuộc gọi công bố kết quả kinh doanh ngày 21 tháng 10 năm 2026, Archer giải thích rằng sự gia tăng việc áp dụng SLC NAND cho AI có thể làm tăng dung lượng wafer cần thiết để cung cấp cùng một lượng lưu trữ. Hãy cùng xem kỹ hơn. Cụ thể, việc chuyển từ TLC sang các sản phẩm thuộc lớp SLC làm giảm số bit được lưu trữ trên mỗi ô xuống khoảng một phần ba. Do đó, ông nói, mỗi mức tăng 1 phần trăm trong tỷ lệ SLC so với tổng số bit NAND sẽ yêu cầu khoảng 2% thêm dung lượng wafer để đáp ứng cùng nhu cầu bit tổng thể. Một số độc giả có thể thắc mắc liệu SLC có phải là một phương pháp lỗi thời trong sản xuất NAND, chỉ được sử dụng chủ yếu trong các sản phẩm cũ. Hoàn toàn không phải vậy. SLC là một lĩnh vực đầy hứa hẹn, có thể đóng vai trò trong NAND tương tự như vai trò của HBM trong DRAM. Các khách hàng NAND, bao gồm NVIDIA và các nhà cung cấp quy mô lớn, đang phát triển các sản phẩm thế hệ tiếp theo dựa trên SLC. Trong hệ sinh thái NVIDIA, trọng tâm là XL-Flash dựa trên SLC, còn được gọi là NAND có IOPS cao. Ngoài hệ sinh thái NVIDIA, SLC cũng đang được sử dụng làm nền tảng cho HBF. Nói một cách đơn giản, để đạt được dung lượng lưu trữ tương đương một wafer TLC cần khoảng ba wafer SLC, trong khi để đạt được dung lượng tương đương một wafer QLC cần khoảng bốn wafer. Khi sản xuất các sản phẩm dựa trên SLC này tăng tốc, chúng sẽ tiêu thụ ngày càng nhiều dung lượng wafer NAND. Cũng giống như HBM đã gây ra tình trạng thiếu hụt trong DRAM, những sản phẩm này có thể tạo ra động lực tương tự trong NAND. Với HBF và XL-Flash dự kiến bước vào sản xuất hàng loạt vào năm 2028 và 2027 lần lượt, tôi cho rằng chúng ta nên xem xét liệu các dự báo của một số nhà phân tích về việc giá NAND bắt đầu giảm trong quý tư năm 2027 có thể quá bảo thủ hay không.