گزشتہ کچھ دن کے میموری صنعت کی خبروں سے حاصل ہونے والا سب سے قیمتی جائزہ لام ریسرچ کے سی ای او ٹائم ارچر سے آیا۔ 21 اکتوبر، 2026 کو کمپنی کی منافع کی کال پر، ارچر نے واضح کیا کہ AI کے لیے SLC NAND کے استعمال میں اضافہ اسی مقدار میں ذخیرہ سازی فراہم کرنے کے لیے درکار ویفر کی صلاحیت میں اضافہ کر سکتا ہے۔ آئیے اسے قریب سے دیکھتے ہیں۔ خاصة طور پر، TLC سے SLC کلاس کے مصنوعات پر منتقل ہونے سے ہر سیل میں ذخیرہ ہونے والے بٹس کی تعداد تقریباً ایک تہائی تک کم ہو جاتی ہے۔ اس لیے، اس نے کہا، SLC کا کل NAND بٹس میں 1 فیصد کا اضافہ تقریباً 2 فیصد زیادہ ویفر صلاحیت کا مطالبہ کرے گا تاکہ اسی کل بٹس کی مانگ پوری کی جا سکے۔ کچھ پڑھنے والوں کو شاید یہ سوال ہو رہا ہوگا کہ آیا SLC NAND پیداوار کا ایک قدیم طریقہ ہے جو صرف قدیم مصنوعات میں استعمال ہوتا ہے؟ اس سے بالکل الٹ۔ SLC ایک بہت وعید دینے والا شعبہ ہے جو NAND میں HBM کا وہی کردار ادا کر سکتا ہے جو DRAM میں کرتا ہے۔ NVIDIA اور ہائپرسکیلرز سمیت NAND کے صارفین SLC پر مبنی نئی نسل کے مصنوعات ترقی دے رہے ہیں۔ NVIDIA کے ایکو سسٹم کے اندر، توجہ SLC پر مبنی XL-Flash، جسے ہائی-IOPS NAND بھی کہا جاتا ہے، پر مرکوز ہے۔ NVIDIA کے ایکو سسٹم کے باہر، SLC کو HBF کے لیے بھی بنیاد کے طور پر استعمال کیا جا رہا ہے۔ بس اس طرح سمجھ لیجئے: ایک TLC ویفر کی ذخیرہ سازی صلاحیت کو مطابق رکھنے کے لیے تقریباً تین SLC ویفر درکار ہوتے ہیں، جبکہ ایک QLC ویفر کو مطابق رکھنے کے لیے تقریباً چار درکار ہوتے ہیں۔ جب ان SLC پر مبنی مصنوعات کی پیداوار بڑھتی جائے گی، تو وہ NAND ویفر صلاحیت کا اضافہ تعداد استعمال کر رہے ہوں گے۔ جس طرح HBM نے DRAM میں shortage پیدا کی، ان مصنوعات نے NAND میں بھی اسی قسم کا اثر مرتب کر سکتا ہے۔ HBF اور XL-Flash کو ترتیب سے 2028 اور 2027 میں حجم پر پیداوار شروع ہونے والی ہے، تو مجھے لگتا ہے کہ 2027 کے چوتھے تिमاسٹر میں NAND قیمتوں میں کمی آنے کا بعض تجزئہ نگاروں کا اندازہ شاید بہت محتاط ہو۔