ایپل کے پاس اپنے NAND فلیش فراہم کنندگان کی کتابوں تک رسائی تھی اور اس نے انہیں اتنی بار جانچا کہ اسے دیلوٹ کے پاس سے ڈسکاؤنٹ بھی ملا۔ LMAO #BoycottApple https://t.co/Qe6YiArp9G
مین کنٹیننٹل چینی خبروں کے ذریعہ جیمین نیوز (界面新闻) کے مطابق، ایپل نے پہلے آئی فون ڈو کی محدود پیداواری صلاحیت کے باعث کچھ آمدنی سے متعلق معیارات کو ڈھیلا کر دیا تھا۔ اس سے ظاہر ہوتا ہے کہ ڈسپلے کی خرابی کے لیے زیادہ عرضی والے یونٹس بازار تک پہنچنے کا امکان بڑھ گیا۔ آئی فون ڈو کے لیے ایپل کا معیاری کنٹرول کمپنی کی تاریخ میں سب سے بدترین ہے۔
کورین میڈیا کی رپورٹس کے مطابق، TSMC اپنے A14 نوڈ کے ساتھ SRAM سکیلنگ کو دوبارہ شروع کرنے کو تیار ہے، جو N5 کے بعد سے روکا ہوا تھا۔ SRAM بٹ سیل سائز 2020 میں N5 (5 نانومیٹر) پروسیس کے متعارف ہونے کے بعد تقریباً آٹھ سال تک 0.021 µm² پر مستقل رہا ہے۔ تاہم، A14 کے ساتھ، ایک ہائی ڈینسٹی 6T SRAM (سٹیٹک رینڈم ایکسیس میموری) بٹ سیل کا سائز 0.017 µm² سے کم ہونے کا تخمنا لگایا جا رہا ہے۔ کورین میڈیا نے نوٹ کیا کہ اس سے TSMC Intel کے 18A پروسیس سے آگے نکل جائے گا، جس کے لیے Intel نے گزشتہ سال ISSCC پر ایک ہائی ڈینسٹی بٹ سیل سائز 0.021 µm² اور ایک زیادہ سے زیادہ SRAM میکرو ڈینسٹی 38.1 میگابٹس/mm² کا اعلان کیا تھا۔ SRAM وہ انتہائی تیز کیش میموری ہے جو CPU، GPU اور AI ایکسلریٹرز کے اندر استعمال ہوتی ہے۔ چھوٹے بٹ سیل—سب سے چھوٹے انفرادی میموری سیل—اسی رقبے میں زیادہ میموری فٹ کرنے کی اجازت دیتے ہیں، جو براہ راست پرفارمنس اور طاقت کی کارکردگی پر اثر انداز ہوتا ہے۔ https://t.co/tYuy9jFUD4
گزشتہ کچھ دن کے میموری صنعت کی خبروں سے حاصل ہونے والا سب سے قیمتی جائزہ لام ریسرچ کے سی ای او ٹائم ارچر سے آیا۔ 21 اکتوبر، 2026 کو کمپنی کی منافع کی کال پر، ارچر نے واضح کیا کہ AI کے لیے SLC NAND کے استعمال میں اضافہ اسی مقدار میں ذخیرہ سازی فراہم کرنے کے لیے درکار ویفر کی صلاحیت میں اضافہ کر سکتا ہے۔ آئیے اسے قریب سے دیکھتے ہیں۔ خاصة طور پر، TLC سے SLC کلاس کے مصنوعات پر منتقل ہونے سے ہر سیل میں ذخیرہ ہونے والے بٹس کی تعداد تقریباً ایک تہائی تک کم ہو جاتی ہے۔ اس لیے، اس نے کہا، SLC کا کل NAND بٹس میں 1 فیصد کا اضافہ تقریباً 2 فیصد زیادہ ویفر صلاحیت کا مطالبہ کرے گا تاکہ اسی کل بٹس کی مانگ پوری کی جا سکے۔ کچھ پڑھنے والوں کو شاید یہ سوال ہو رہا ہوگا کہ آیا SLC NAND پیداوار کا ایک قدیم طریقہ ہے جو صرف قدیم مصنوعات میں استعمال ہوتا ہے؟ اس سے بالکل الٹ۔ SLC ایک بہت وعید دینے والا شعبہ ہے جو NAND میں HBM کا وہی کردار ادا کر سکتا ہے جو DRAM میں کرتا ہے۔ NVIDIA اور ہائپرسکیلرز سمیت NAND کے صارفین SLC پر مبنی نئی نسل کے مصنوعات ترقی دے رہے ہیں۔ NVIDIA کے ایکو سسٹم کے اندر، توجہ SLC پر مبنی XL-Flash، جسے ہائی-IOPS NAND بھی کہا جاتا ہے، پر مرکوز ہے۔ NVIDIA کے ایکو سسٹم کے باہر، SLC کو HBF کے لیے بھی بنیاد کے طور پر استعمال کیا جا رہا ہے۔ بس اس طرح سمجھ لیجئے: ایک TLC ویفر کی ذخیرہ سازی صلاحیت کو مطابق رکھنے کے لیے تقریباً تین SLC ویفر درکار ہوتے ہیں، جبکہ ایک QLC ویفر کو مطابق رکھنے کے لیے تقریباً چار درکار ہوتے ہیں۔ جب ان SLC پر مبنی مصنوعات کی پیداوار بڑھتی جائے گی، تو وہ NAND ویفر صلاحیت کا اضافہ تعداد استعمال کر رہے ہوں گے۔ جس طرح HBM نے DRAM میں shortage پیدا کی، ان مصنوعات نے NAND میں بھی اسی قسم کا اثر مرتب کر سکتا ہے۔ HBF اور XL-Flash کو ترتیب سے 2028 اور 2027 میں حجم پر پیداوار شروع ہونے والی ہے، تو مجھے لگتا ہے کہ 2027 کے چوتھے تिमاسٹر میں NAND قیمتوں میں کمی آنے کا بعض تجزئہ نگاروں کا اندازہ شاید بہت محتاط ہو۔
LMAOOOO، تائیوانی سبstrate میکرز کے ایگزیکٹو اب بھی اس پرانے سوچ میں گھسے ہوئے ہیں کہ جاپان کا Nittobo جنوبی کوریا کے Samsung سے نفرت کرتا ہے، اس لیے وہ Samsung کو کم گلاس فائبر فراہم کرے گا اور Samsung Electro-Mechanics کی صلاحیت میں اضافہ نہیں ہو پائے گا؟؟ LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
مائیکرون نے میری پہلی سلائیڈ سے ہی خوشی دی۔😭😭 https://t.co/arYOik7Eyq
کیا ہائبرڈ بانڈنگ (W2W) کو High-NA EUV سے پہلے اپنایا جائے گا؟ https://t.co/IOs2QsX8iO
لگتا ہے مائیکرون بھی zHBM تیار کر رہا ہے۔ 👀👀 https://t.co/3tL0wuqjg5
ہم... لگتا ہے کہ مائیکرون سیدھا 3D DRAM پر جا رہا ہے۔ https://t.co/PuFm0vAYXM