TrendForce: Терміни поставок GPU — 30–45 тижнів, верхня межа цього діапазону збільшилася на 5 тижнів порівняно з попереднім тижнем. Терміни поставок DRAM скоротилися до 19 тижнів, що на 1 тиждень менше, ніж у попередній тиждень. Терміни поставок MLCC збільшилися до 38 тижнів, що на 3 тижні більше, ніж у попередній тиждень. https://t.co/QBRPWOuedR
Apple мав доступ до бухгалтерських книг своїх постачальників NAND-пам’яті і перевіряв їх настільки часто, що навіть отримав знижку від Deloitte. LMAO #БойкотApple https://t.co/Qe6YiArp9G
За даними китайського медіа Jiemian News (界面新闻), Apple раніше послабила деякі стандарти якості, пов’язані з виходом продукції, через обмежені виробничі потужності для iPhone Duo. Це, як повідомляється, збільшило ймовірність того, що пристрої, схильні до відмов екранів, досягнуть ринку. Контроль якості Apple для iPhone Duo є найгіршим за всю історію компанії.
TSMC знову почне масштабування SRAM із своєю нодою A14 після зупинки, яка почалася після N5, згідно зі звітами корейських ЗМІ. Розміри бітклітин SRAM залишалися на рівні 0,021 мкм² протягом приблизно восьми років з моменту запуску процесу N5 (5 нм) у 2020 році. Однак із A14 розмір високощільної 6T SRAM (статична оперативна пам’ять з довільним доступом) бітклітини, як очікується, зменшиться нижче 0,017 мкм². Корейські ЗМІ зазначили, що це дозволить TSMC випередити процес Intel 18A, для якого Intel повідомила про розмір високощільної бітклітини 0,021 мкм² та максимальну щільність SRAM-макросу 38,1 Мбіт/мм² на минулорічному ISSCC. SRAM — це надшвидка кеш-пам’ять, яка використовується всередині CPU, GPU та AI-акселераторів. Менші бітклітини — найменші окремі комірки пам’яті — дозволяють розмістити більше пам’яті в тій самій площі, що безпосередньо впливає на продуктивність та енергоефективність. https://t.co/tYuy9jFUD4
Можливо, найцінніший висновок з новин індустрії пам’яті за останні кілька днів походить від генерального директора Lam Research Тіма Арчера. На фінансовій конференції компанії 21 жовтня 2026 року Арчер пояснив, що зростаюче впровадження SLC NAND для штучного інтелекту може збільшити потужність вейферів, необхідну для постачання тієї самої суми зберігання. Розглянемо це детальніше. Зокрема, перехід від TLC до продуктів класу SLC зменшує кількість бітів, що зберігаються на комірку, приблизно до третини. Як наслідок, за його словами, кожен 1-відсотковий зростання частки SLC у загальній кількості біт NAND вимагатиме приблизно на 2% більшої потужності вейферів для задоволення тих самих загальних потреб у бітах. Деякі читачі можуть запитувати, чи є SLC застарілим підходом до виробництва NAND, що використовується переважно у застарілих продуктах. Навпаки. SLC — це дуже перспективна галузь, яка може відігравати в NAND роль, подібну до тієї, яку HBM відіграє в DRAM. Клієнти NAND, зокрема NVIDIA та гіпермасштабувальники, розробляють продукти наступного покоління на основі SLC. У екосистемі NVIDIA акцент робиться на SLC-на основі XL-Flash, який також відомий як NAND з високим IOPS. Поза екосистемою NVIDIA SLC також використовується як основа для HBF. Простими словами, щоб досягти об’єму зберігання одного вейфера TLC, потрібно приблизно три вейфери SLC, а для одного QLC — приблизно чотири. Коли виробництво цих продуктів на основі SLC зростатиме, вони споживатимуть все більше потужності вейферів NAND. Як HBM спричинив дефіцит DRAM, ці продукти можуть створити подібну динаміку в NAND. Оскільки HBF і XL-Flash мають почати масове виробництво в 2028 і 2027 роках відповідно, я вважаю, що слід розглянути, чи не є надто консервативними деякі прогнози аналітиків щодо початку зниження цін на NAND у четвертому кварталі 2027 року.
LMAOOOO, керівники тайванських виробників субстратів все ще застрягли в цій застарілій уяві, що японська Nittobo ненавидить корейську Samsung, тому буде постачати Samsung менше скляних волокон, і Samsung Electro-Mechanics не зможе розширити потужності?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
