Можливо, найцінніший висновок з новин індустрії пам’яті за останні кілька днів походить від генерального директора Lam Research Тіма Арчера. На фінансовій конференції компанії 21 жовтня 2026 року Арчер пояснив, що зростаюче впровадження SLC NAND для штучного інтелекту може збільшити потужність вейферів, необхідну для постачання тієї самої суми зберігання. Розглянемо це детальніше. Зокрема, перехід від TLC до продуктів класу SLC зменшує кількість бітів, що зберігаються на комірку, приблизно до третини. Як наслідок, за його словами, кожен 1-відсотковий зростання частки SLC у загальній кількості біт NAND вимагатиме приблизно на 2% більшої потужності вейферів для задоволення тих самих загальних потреб у бітах. Деякі читачі можуть запитувати, чи є SLC застарілим підходом до виробництва NAND, що використовується переважно у застарілих продуктах. Навпаки. SLC — це дуже перспективна галузь, яка може відігравати в NAND роль, подібну до тієї, яку HBM відіграє в DRAM. Клієнти NAND, зокрема NVIDIA та гіпермасштабувальники, розробляють продукти наступного покоління на основі SLC. У екосистемі NVIDIA акцент робиться на SLC-на основі XL-Flash, який також відомий як NAND з високим IOPS. Поза екосистемою NVIDIA SLC також використовується як основа для HBF. Простими словами, щоб досягти об’єму зберігання одного вейфера TLC, потрібно приблизно три вейфери SLC, а для одного QLC — приблизно чотири. Коли виробництво цих продуктів на основі SLC зростатиме, вони споживатимуть все більше потужності вейферів NAND. Як HBM спричинив дефіцит DRAM, ці продукти можуть створити подібну динаміку в NAND. Оскільки HBF і XL-Flash мають почати масове виробництво в 2028 і 2027 роках відповідно, я вважаю, що слід розглянути, чи не є надто консервативними деякі прогнози аналітиків щодо початку зниження цін на NAND у четвертому кварталі 2027 року.