TSMC знову почне масштабування SRAM із своєю нодою A14 після зупинки, яка почалася після N5, згідно зі звітами корейських ЗМІ. Розміри бітклітин SRAM залишалися на рівні 0,021 мкм² протягом приблизно восьми років з моменту запуску процесу N5 (5 нм) у 2020 році. Однак із A14 розмір високощільної 6T SRAM (статична оперативна пам’ять з довільним доступом) бітклітини, як очікується, зменшиться нижче 0,017 мкм². Корейські ЗМІ зазначили, що це дозволить TSMC випередити процес Intel 18A, для якого Intel повідомила про розмір високощільної бітклітини 0,021 мкм² та максимальну щільність SRAM-макросу 38,1 Мбіт/мм² на минулорічному ISSCC. SRAM — це надшвидка кеш-пам’ять, яка використовується всередині CPU, GPU та AI-акселераторів. Менші бітклітини — найменші окремі комірки пам’яті — дозволяють розмістити більше пам’яті в тій самій площі, що безпосередньо впливає на продуктивність та енергоефективність. https://t.co/tYuy9jFUD4