TSMC'nin hafıza sektörüne gireceğini ve büyük üç hafıza üreticisini bozacağını iddia etmek anlam ifade etmiyor. Bana göre, TSMC bu projeye beş yıldan fazla süredir çalışıyor, ancak üretmeyi hedefledikleri şeyin klasik DRAM olacağını varsaymak bir hata olur. TSMC'nin DRAM IP'si, DRAM patentleri veya ilgili teknolojileri yoktur. Sanırım "3D DRAM" terimi, bu yanlış anlaşılmaya neden oluyor. Endüstri uzmanlarıyla görüşmelerim sonucunda, TSMC'nin DRAM'a girmesiyle ilgili raporların doğru şekilde yorumlanması şu şekilde olmalı: TSMC'nin daha önce yayımladığı araştırmalar, yönü hakkında iyi bir fikir veriyor. 2025 VLSI Sempozyumu'nda, TSMC, bir transistör ve bir kapasitörden (1T1C) oluşan bir hücre kullanan, oksit yarı iletkenlere dayalı bir hafıza teknolojisi sundu. Amaç, bu hafızayı gelişmiş lojik çiplere entegre ederek işlemciler için düşük güç tüketimli ve düşük gecikmeli bir önbellek sunmaktı. Bu tasarımın temel özelliği, hafıza dizisinin lojik çipin arka uç hat (BEOL) bağlantı katmanlarına doğrudan inşa edilmesidir. Geleneksel DRAM ise ayrı bir çip olarak üretilir. Gelişmiş bir lojik çipin bağlantı katmanlarına hafıza dizisini inşa etmek için TSMC, oksit yarı iletken kanallı seçici transistörler ve düşük sıcaklıkta üretilmiş kapasitörler kullandı. TSMC'ye göre, hafıza ve lojik bir tek çip üzerinde entegre edilmiş test çipi, 0,75V'de çalıştı. Veri koruma süresi 128 ms'yi aştı, rastgele okuma/yazma döngü süresi 8 ns'in altındaydı ve dayanıklılık 10¹⁴ döngüden fazlaydı. TSMC bu teknolojiyi, SRAM'den daha yüksek yoğunluğa sahip olup güç tüketimini ve gecikmeyi düşük tutan bir işlemci önbelleği olarak tanıttı. Yani TSMC, 3D DRAM'ı SRAM'ın yerini alacak bir sonraki nesil teknoloji olarak üretecek; ancak büyük ölçekli üretimi olmayacak. TSMC'nin DDR veya LPDDR ürettiğini söyleyenler, tamamen ne hakkında konuştuğunu bilmiyorlar.