ChainCatcher haberine göre, malzeme endüstrisinden kaynaklar, 2 Eylül'de TSMC'nin yüksek bant genişlikli bellek (HBM) ile AI hızlandırıcıları arasındaki ileri paketleme bağlantısı için kısa vadeli olarak karışık bağlama yerine geleneksel mikro bump teknolojisini kullanmaya devam edeceğini açıkladı. İlgili malzeme geliştirme döngüsünü göz önünde bulundurarak, daha ince aralıklı mikro bump'ların HBM4'ün son dönemlerine ve HBM5'in erken dönemlerine kadar kullanılmaya devam edeceği tahmin ediliyor. TSMC, yaklaşık 5 mikrometre çaplı bump'lar için bağlama ve alt dolgu çözümleri geliştirmek üzere malzeme ve ekipman ortaklarından talepte bulundu. Güney Kore ve Japonya tedarikçileri zaten bu geliştirmeleri başlatmış durumda ve 5μm seviyesinde bump'ların seri üretimi 2028 yılının ikinci yarısında başlaması bekleniyor. Şu anda üçüncü nesil genişletilmiş HBM olan HBM3E bump yüksekliği yaklaşık 15–25μm, HBM4 ise yaklaşık 10μm civarında. Japon malzeme tedarikçileri daha önce 15μm'in altında kalite garantisi vermenin zor olduğunu ifade etmişti. Bump'ların kısaltılması ve inceleştirilmesi, HBM küp yüksekliği sınırlamaları ve daha yüksek bağlantı yoğunluğu talepleri nedeniyledir. JEDEC, HBM yığını maksimum yüksekliğini 775μm olarak belirlemiştir. TSMC'nin ileri CoWoS paketleme sisteminde, GPU ve bellek tedarikçileri tarafından önceden monte edilmiş HBM yığınları, mikro bump'larla silikon ara katmana yerleştirilir; 16 kat DRAM çip yığını, SK hynix ve Samsung Electronics gibi şirketler HBM paketi içinde tamamlar. İlk ve ikinci nesil HBM'ler daha büyük lehim bump'ları kullanırken, mikro bump'lar HBM3 neslinde yaygınlaşmaya başlamıştır. SK hynix MR-MUF sürecini, Samsung Electronics ise TC-NCF yöntemini kullanır. Karışık bağlama, bakır pimleri doğrudan birbirine bağlayarak daha ince ve daha yoğun bağlantılar sağlar; TSMC bu yöntemi SoIC platformunda mantık çip yığınları için kullanmaktadır, ancak HBM hâlâ mikro bump'larla ara katmana bağlanmaktadır.
TSMC, HBM5'e kadar HBM için mikro-bump paketleme kullanmaya devam edecek
ChaincatcherPaylaş
Özet
ChainCatcher'e göre, TSMC, HBM5'e kadar AI çiplerinde HBM için mikro-bump paketleme teknolojisini kullanmaya devam edecektir. Şirket, 2028'de kitle üretimi için 5 mikronluk bump çözümü üzerinde tedarikçilerle çalışıyor. HBM3E, 15–25μm bump kullanırken, HBM4 10μm'e geçiş yapıyor. Risk-kazanç oranını değerlendiren traderlar, paketleme teknolojisinin çip performansını ve maliyetleri nasıl etkilediğini izleyebilir. Kripto için teknik analiz, HBM benimsenmesi arttıkça yarı iletkenlere bağlı varlıklara dikkat etmeyi öneriyor.
Kaynak:Orijinalini göster
Yasal Uyarı: Bu sayfadaki bilgiler üçüncü şahıslardan alınmış olabilir ve KuCoin'in görüşlerini veya fikirlerini yansıtmayabilir. Bu içerik, herhangi bir beyan veya garanti olmaksızın yalnızca genel bilgilendirme amacıyla sağlanmıştır ve finansal veya yatırım tavsiyesi olarak yorumlanamaz. KuCoin, herhangi bir hata veya eksiklikten veya bu bilgilerin kullanımından kaynaklanan sonuçtan sorumlu değildir.
Dijital varlıklara yapılan yatırımlar riskli olabilir. Lütfen bir ürünün risklerini ve risk toleransınızı kendi finansal koşullarınıza göre dikkatlice değerlendirin. Daha fazla bilgi için lütfen Kullanım Koşullarımıza ve Risk Açıklamamıza bakınız.