Odaily Yıldız Günü haberi: SK Hynix ve SanDisk, NAND flash tabanlı sonraki nesil depolama teknolojisi olan Yüksek Bant Genişlikli Flash (HBF)’in ilk standart spesifikasyonunu kamuoyu ile paylaştı. SK Hynix, bu spesifikasyonu 4-6 Ağustos 2026 tarihleri arasında Kaliforniya, Santa Clara'da düzenlenen FMS 2026'da sundu.
HBF, NAND flash belleğini yüksek bant genişliği belleği (HBM) benzeri dikey yığınlama yöntemiyle birleştirerek kapasiteyi ve veri aktarım hızını artırır. Bu spec, 8 katman ve 16 katman NAND die yığınlama yapıları ile tanımlanmıştır ve en yüksek 512 GB kapasiteye sahiptir; bant genişliği üç seviyede olup, saniyede 0,4 TB ile 3,0 TB arasında desteklenir.
HBF, endüstri standardı UCIe aracılığıyla GPU, CPU ve diğer farklı tip işlemcilerle bağlantı kurar. Bu specifikasyon, açık veri merkezi teknolojileri iş birliği organizasyonu OCP tarafından yayınlanmıştır. HBF konsorsiyumu şu anda Google ve AI yarı iletken şirketi Tenstorrent’i içermektedir.
SK Hynix, bu etkinlikte ilk kez geliştirme aşamasında olan 10. nesil (V10) 375 katmanlı 4D NAND çiplerini ve ürünleri açıklayacak ve bu teknolojiyi kullanan yüksek performanslı, yüksek kapasiteli kurumsal SSD'lerin (eSSD) üretimi için önümüzdeki yılın başlarında seri üretim başlatmayı planlıyor.