Samsung, 2028 yılına kadar DRAM üretimi için High-NA EUV'u kullanacak

iconCryptoBriefing
Paylaş
AI summary iconÖzet
Samsung, 8 Eylül 2026 tarihinde ASML ile bir ortaklık duyurusu yaptı ve 2028 yılına kadar DRAM kitle üretimi için High-NA EUV litografi kullanmayı taahhüt etti. Bu zincir üzerindeki haber, DRAM endüstrisinde potansiyel olarak ilk kez bir adım olabilir. Eğer başarıyla uygulanırsa, bu adım üretim standartlarını yeniden tanımlayabilir.

Samsung Electronics, çip üretimi için şimdiye kadar inşa edilen en pahalı makinelerin, bellek savaşlarında belirleyici bir avantaj sağlayacağını düşünüyor. Şirket, 8 Eylül 2026 tarihinde ASML ile artırılmış bir stratejik ortaklık duyurdu ve 2028 yılına kadar DRAM üretiminde Yüksek-NA EUV litografiyi kitle üretimi için kullanmayı taahhüt etti.

Samsung bu hedefe ulaşır ise, DRAM sektöründe High-NA EUV teknolojisini kullanan ilk çip üreticisi olacak.

High-NA EUV tam olarak ne anlama gelir

EUV litografi, ya da aşırı ultraviyole litografi, 13,5 nanometre dalga boyunda ışık kullanarak silikon waferlere imkânsız derecede küçük devre desenleri basan teknolojidir. “Yüksek-NA”, lens sistemindeki sayısal açıklığın 0,33’ten 0,55’e yükseldiğini ifade eder ve bu, cihazın daha ince desenleri daha iyi çözünürlükle basmasını sağlar.

DRAM için pratik avantaj: daha az üretim adımı, daha sıkı devre desenleri ve daha iyi verimlilik. Yüksek-NA EUV, önceki karmaşık çok desenleme gereksinimlerini basitleştirerek tek maruziyet imkanı sunar.

Reklam

Bu makineler ucuz değildir. Her yüksek NA EUV cihazı 350 milyon ile 400 milyon dolar arasında maliyete sahiptir.

12 inçlik fotomaske kayması

Başlıkta yer alan EUV taahhüdünün ötesinde, Samsung, onlarca yıldır endüstri standardı olan 6-inch formatını yerine geçirmek için ASML liderliğindeki 12-inch fotomaske geliştirme girişimine de katılacaktır.

Fotomaskeler, devre tasarımlarını silikon waferlere aktarmak için kullanılan şablonlardır. 12 inç maskeye geçiş, üretim verimliliğini yaklaşık %40 artırması beklenmektedir.

Neden mantık çiplerinden önce DRAM

Şirket, mantık ve fabrika operasyonlarında 2030 civarında 1 nm sınıfı işlemci node'larına ulaşmayı beklediği sürece High-NA EUV kullanmayı planlamıyor. Ancak DRAM için 2028 hedefleniyor.

Samsung CEO Young Hyun Jun, ortaklığı açıkça yapay zeka odaklı bir şekilde tanımlayarak, yapay zeka çağında tüm çip değer zinciri boyunca teknolojik yeniliklerin gerekli olduğunu belirtti.

Yarı iletken endüstrisi için bunun ne anlama geldiğini

Samsung’in açıklaması, DRAM oligopolünde diğer iki şirket olan SK Hynix ve Micron Technology üzerine baskı oluşturuyor. Bu üç şirket, küresel DRAM tedarikinin büyük bir kısmını kontrol ediyor. ASML için bu ortaklık, en gelişmiş ürün çizgisinin ticari uygunluğunu doğruluyor. ASML, küresel olarak EUV litografi ekipmanlarının tek tedarikçisi.

TSMC, benzer gelişmiş node'lar için 2030 yılına yönelik bir yayılım hedefliyor; Intel ise High-NA EUV teknolojisini sınırlı uygulamalarla başlatmış durumda. Yarı iletken tedarik zincirini takip eden yatırımcılar için izlenecek ana metrik, duyurunun kendisi değil, Samsung'un önümüzdeki iki yıl içindeki sermaye harcaması eğilimi. High-NA EUV araçları için verilen siparişler, tesis yükseltmeleri ve fotomaske geliştirme harcamaları, 2028 hedefinin yolunda olup olmadığına dair öncü göstergeler olacaktır.

Yasal Uyarı: Bu sayfadaki bilgiler üçüncü şahıslardan alınmış olabilir ve KuCoin'in görüşlerini veya fikirlerini yansıtmayabilir. Bu içerik, herhangi bir beyan veya garanti olmaksızın yalnızca genel bilgilendirme amacıyla sağlanmıştır ve finansal veya yatırım tavsiyesi olarak yorumlanamaz. KuCoin, herhangi bir hata veya eksiklikten veya bu bilgilerin kullanımından kaynaklanan sonuçtan sorumlu değildir. Dijital varlıklara yapılan yatırımlar riskli olabilir. Lütfen bir ürünün risklerini ve risk toleransınızı kendi finansal koşullarınıza göre dikkatlice değerlendirin. Daha fazla bilgi için lütfen Kullanım Koşullarımıza ve Risk Açıklamamıza bakınız.