ChainCatcher'e göre, Samsung Electronics, 2027 başlarında ileri paketleme teknolojisi 3D Cube-H'yi tamamlayacak ve ilk tasarım kitiyi tamamlayıp ardından potansiyel müşterilerle değerlendirme sürecine başlayacaktır. Bu teknoloji, karışık bağlama yöntemiyle çiplerin dikey yığılmasını sağlar ve özellikle yüksek performanslı AI yarı iletkenler için tasarlanmıştır; GPU gibi lojik çipleri yığmak veya HBM gibi depolama çiplerine lojik çipler entegre etmek için kullanılabilir. Samsung Electronics, daha önce termal pres bağlama teknolojisini kullanan 3D Cube-T'yi geliştirmişti ve şu anda termal pres bağlama çiplerinin minimum terminal aralığı yaklaşık 25 mikrometreken, 6 mikrometre civarında terminal aralığına sahip 3D Cube-H'yi geliştiriyor. Karışık bağlama, çipler arasındaki bakır malzemeyi doğrudan bağlayarak terminal aralığını daraltır, bağlantı yoğunluğunu artırır ve her bit başına enerji tüketimini azaltır; ısı dağılımı özellikleri de termal pres bağlama çözümlerinden farklıdır.
Samsung, 3D Cube-H geliştirme işlemini 2027 yılının başlarında tamamlayacak
ChaincatcherPaylaş
Özet
Samsung, 3D Cube-H geliştirmesini 2027 başlarında tamamlayacak, AI + kripto haberleri
Kaynak:Orijinalini göster
Yasal Uyarı: Bu sayfadaki bilgiler üçüncü şahıslardan alınmış olabilir ve KuCoin'in görüşlerini veya fikirlerini yansıtmayabilir. Bu içerik, herhangi bir beyan veya garanti olmaksızın yalnızca genel bilgilendirme amacıyla sağlanmıştır ve finansal veya yatırım tavsiyesi olarak yorumlanamaz. KuCoin, herhangi bir hata veya eksiklikten veya bu bilgilerin kullanımından kaynaklanan sonuçtan sorumlu değildir.
Dijital varlıklara yapılan yatırımlar riskli olabilir. Lütfen bir ürünün risklerini ve risk toleransınızı kendi finansal koşullarınıza göre dikkatlice değerlendirin. Daha fazla bilgi için lütfen Kullanım Koşullarımıza ve Risk Açıklamamıza bakınız.