TrendForce: Os prazos de entrega de GPUs estão entre 30 e 45 semanas, com o limite superior da faixa aumentando em 5 semanas em relação à semana anterior. Os prazos de entrega de DRAM foram reduzidos para 19 semanas, uma semana a menos em relação à semana anterior. Os prazos de entrega de MLCC foram estendidos para 38 semanas, aumentando em 3 semanas em relação à semana anterior. https://t.co/QBRPWOuedR
A Apple tinha acesso aos livros de seus fornecedores de NAND flash e os revisava com tanta frequência que chegou a receber um desconto da Deloitte. LMAO #BoicoteApple https://t.co/Qe6YiArp9G
De acordo com o veículo de notícias chinês continental Jiemian News (界面新闻), a Apple anteriormente relaxou alguns de seus padrões de controle de qualidade relacionados ao rendimento devido à capacidade de produção limitada para o iPhone Duo. Isso supostamente aumentou a probabilidade de unidades propensas a falhas na tela chegarem ao mercado. O controle de qualidade da Apple para o iPhone Duo é o pior da história da empresa.
A TSMC finalmente está pronta para retomar o escalonamento da SRAM com seu node A14, após uma parada que começou após o N5, segundo relatos da mídia coreana. Os tamanhos das células de bit da SRAM permaneceram em 0,021 µm² por cerca de oito anos desde a introdução do processo N5 (5 nm) em 2020. No entanto, com o A14, espera-se que o tamanho de uma célula de bit SRAM 6T de alta densidade (memória de acesso aleatório estática) seja reduzido para abaixo de 0,017 µm². A mídia coreana observou que isso colocaria a TSMC à frente do processo 18A da Intel, para o qual a Intel relatou um tamanho de célula de bit de alta densidade de 0,021 µm² e uma densidade máxima de macro SRAM de 38,1 megabits/mm² no ISSCC do ano passado. A SRAM é a memória cache ultra-rápida usada dentro de CPUs, GPUs e aceleradores de IA. Células de bit menores — as menores unidades individuais de memória — permitem que mais memória seja acomodada na mesma área, afetando diretamente o desempenho e a eficiência energética. https://t.co/tYuy9jFUD4
Provavelmente, a visão mais valiosa dos últimos dias de notícias do setor de memória veio do CEO da Lam Research, Tim Archer. Na chamada de resultados de 21 de outubro de 2026 da empresa, Archer explicou que a crescente adoção de NAND SLC para IA pode aumentar a capacidade de wafer necessária para fornecer a mesma quantia de armazenamento. Vamos dar uma olhada mais de perto. Especificamente, passar de produtos TLC para SLC reduz o número de bits armazenados por célula para cerca de um terço. Como resultado, ele disse, cada aumento de 1 ponto percentual na participação do SLC no total de bits NAND exigirá aproximadamente 2% a mais de capacidade de wafer para atender à mesma demanda total de bits. Alguns leitores podem se perguntar se o SLC é uma abordagem ultrapassada para a produção de NAND, usada principalmente em produtos legados. Longe disso. O SLC é uma área altamente promissora que pode desempenhar um papel no NAND semelhante ao que o HBM desempenha no DRAM. Clientes de NAND, incluindo NVIDIA e hyperscalers, estão desenvolvendo produtos de próxima geração baseados em SLC. No ecossistema NVIDIA, o foco está no XL-Flash baseado em SLC, também conhecido como NAND de alto IOPS. Fora do ecossistema NVIDIA, o SLC também está sendo usado como base para o HBF. Em resumo, igualar a capacidade de armazenamento de um wafer TLC requer aproximadamente três wafers SLC, enquanto igualar um wafer QLC requer aproximadamente quatro. À medida que a produção desses produtos baseados em SLC aumenta, eles consumirão uma quantidade crescente de capacidade de wafer NAND. Assim como o HBM gerou escassez no DRAM, esses produtos podem criar uma dinâmica semelhante no NAND. Com o HBF e o XL-Flash programados para entrar em produção em massa em 2028 e 2027, respectivamente, acho que devemos considerar se as previsões de alguns analistas de que os preços do NAND começarão a cair no quarto trimestre de 2027 podem ser excessivamente conservadoras.
LMAOOOO, os executivos das fabricantes taiwanesas de substratos ainda estão presos nessa mentalidade ultrapassada de que a Nittobo do Japão odeia a Samsung da Coreia, então fornecerá menos fibra de vidro à Samsung e a Samsung Electro-Mechanics não conseguirá expandir a capacidade?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
O bonding híbrido (W2W) será adotado antes do High-NA EUV? https://t.co/IOs2QsX8iO
