Provavelmente, a visão mais valiosa dos últimos dias de notícias do setor de memória veio do CEO da Lam Research, Tim Archer. Na chamada de resultados de 21 de outubro de 2026 da empresa, Archer explicou que a crescente adoção de NAND SLC para IA pode aumentar a capacidade de wafer necessária para fornecer a mesma quantia de armazenamento. Vamos dar uma olhada mais de perto. Especificamente, passar de produtos TLC para SLC reduz o número de bits armazenados por célula para cerca de um terço. Como resultado, ele disse, cada aumento de 1 ponto percentual na participação do SLC no total de bits NAND exigirá aproximadamente 2% a mais de capacidade de wafer para atender à mesma demanda total de bits. Alguns leitores podem se perguntar se o SLC é uma abordagem ultrapassada para a produção de NAND, usada principalmente em produtos legados. Longe disso. O SLC é uma área altamente promissora que pode desempenhar um papel no NAND semelhante ao que o HBM desempenha no DRAM. Clientes de NAND, incluindo NVIDIA e hyperscalers, estão desenvolvendo produtos de próxima geração baseados em SLC. No ecossistema NVIDIA, o foco está no XL-Flash baseado em SLC, também conhecido como NAND de alto IOPS. Fora do ecossistema NVIDIA, o SLC também está sendo usado como base para o HBF. Em resumo, igualar a capacidade de armazenamento de um wafer TLC requer aproximadamente três wafers SLC, enquanto igualar um wafer QLC requer aproximadamente quatro. À medida que a produção desses produtos baseados em SLC aumenta, eles consumirão uma quantidade crescente de capacidade de wafer NAND. Assim como o HBM gerou escassez no DRAM, esses produtos podem criar uma dinâmica semelhante no NAND. Com o HBF e o XL-Flash programados para entrar em produção em massa em 2028 e 2027, respectivamente, acho que devemos considerar se as previsões de alguns analistas de que os preços do NAND começarão a cair no quarto trimestre de 2027 podem ser excessivamente conservadoras.