TrendForce: Masa tunggu GPU ialah 30–45 minggu, dengan hujung atas julat meningkat 5 minggu daripada minggu sebelumnya. Masa tunggu DRAM telah dipendekkan kepada 19 minggu, turun 1 minggu daripada minggu sebelumnya. Masa tunggu MLCC telah diperpanjang kepada 38 minggu, naik 3 minggu daripada minggu sebelumnya. https://t.co/QBRPWOuedR
Menurut media China daratan Jiemian News (界面新闻), Apple sebelumnya melonggarkan beberapa piawaian kawalan kualiti berkaitan hasil akibat kapasiti pengeluaran yang terhad untuk iPhone Duo. Ini dilaporkan meningkatkan kemungkinan unit yang mudah mengalami kegagalan paparan sampai ke pasaran. Kawalan kualiti Apple untuk iPhone Duo adalah yang terburuk dalam sejarah syarikat ini.
TSMC akhirnya dijangka meneruskan penskalaan SRAM dengan nod A14nya, selepas mengalami kegagalan yang bermula selepas N5, menurut laporan media Korea. Saiz bitcell SRAM telah kekal pada 0.021 µm² selama kira-kira lapan tahun sejak pengenalan proses N5 (5 nm) pada 2020. Namun, dengan A14, saiz bitcell SRAM 6T berketumpatan tinggi (memori akses rawak statik) dijangka mengecil kepada di bawah 0.017 µm². Media Korea mencatat bahawa ini akan meletakkan TSMC di hadapan proses 18A Intel, di mana Intel melaporkan saiz bitcell berketumpatan tinggi sebanyak 0.021 µm² dan ketumpatan makro SRAM maksimum sebanyak 38.1 megabit/mm² pada ISSCC tahun lepas. SRAM ialah memori cache ultra-cepat yang digunakan di dalam CPU, GPU, dan akselerator AI. Bitcell yang lebih kecil—sel memori individu terkecil—membolehkan lebih banyak memori muat ke dalam ruang yang sama, secara langsung mempengaruhi prestasi dan kecekapan kuasa. https://t.co/tYuy9jFUD4
Mungkin petunjuk paling berharga daripada berita industri memori beberapa hari terakhir datang dari CEO Lam Research, Tim Archer. Pada panggilan pendapatan pada 21 Oktober 2026, Archer menjelaskan bahawa peningkatan penggunaan SLC NAND untuk AI boleh meningkatkan kapasiti wafer yang diperlukan untuk membekalkan jumlah penyimpanan yang sama. Mari kita lihat lebih dekat. Secara khusus, peralihan dari TLC kepada produk kelas SLC mengurangkan bilangan bit yang disimpan per sel kepada kira-kira sepertiga. Sebagai akibatnya, katanya, setiap peningkatan 1 peratus dalam bahagian SLC daripada jumlah bit NAND keseluruhan akan memerlukan kira-kira 2% lebih banyak kapasiti wafer untuk memenuhi permintaan bit keseluruhan yang sama. Sebahagian pembaca mungkin bertanya-tanya sama ada SLC adalah pendekatan usang dalam penghasilan NAND, yang digunakan terutamanya dalam produk warisan. Jauh daripada itu. SLC adalah bidang yang sangat menjanjikan yang boleh memainkan peranan dalam NAND serupa dengan yang dimainkan oleh HBM dalam DRAM. Pelanggan NAND, termasuk NVIDIA dan hyperscalers, sedang membangunkan produk generasi seterusnya berdasarkan SLC. Dalam ekosistem NVIDIA, fokusnya adalah pada XL-Flash berbasis SLC, juga dikenali sebagai NAND high-IOPS. Di luar ekosistem NVIDIA, SLC juga digunakan sebagai asas untuk HBF. Dengan kata mudah, untuk menyamakan kapasiti penyimpanan satu wafer TLC memerlukan kira-kira tiga wafer SLC, manakala menyamakan satu wafer QLC memerlukan kira-kira empat. Semasa penghasilan produk-produk berbasis SLC ini dipercepatkan, ia akan mengkonsumsi jumlah kapasiti wafer NAND yang semakin meningkat. Seperti halnya HBM yang menyebabkan kekurangan dalam DRAM, produk-produk ini boleh mencipta dinamik serupa dalam NAND. Dengan HBF dan XL-Flash dijadualkan memasuki penghasilan berskala besar pada 2028 dan 2027 masing-masing, saya rasa kita perlu mempertimbangkan sama ada ramalan beberapa analis bahawa harga NAND akan bermula menurun pada suku keempat 2027 mungkin terlalu konservatif.
LMAOOOO, eksekutif di pembuat substrat Taiwan masih terjebak dalam pemikiran usang bahawa Nittobo Jepun membenci Samsung Korea, jadi ia akan membekalkan kurang gentian kaca kepada Samsung, dan Samsung Electro-Mechanics tidak akan mampu memperluaskan kapasiti?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
Akankah ikatan hibrida (W2W) diadopsi sebelum High-NA EUV? https://t.co/IOs2QsX8iO
