TSMC akhirnya dijangka meneruskan penskalaan SRAM dengan nod A14nya, selepas mengalami kegagalan yang bermula selepas N5, menurut laporan media Korea. Saiz bitcell SRAM telah kekal pada 0.021 µm² selama kira-kira lapan tahun sejak pengenalan proses N5 (5 nm) pada 2020. Namun, dengan A14, saiz bitcell SRAM 6T berketumpatan tinggi (memori akses rawak statik) dijangka mengecil kepada di bawah 0.017 µm². Media Korea mencatat bahawa ini akan meletakkan TSMC di hadapan proses 18A Intel, di mana Intel melaporkan saiz bitcell berketumpatan tinggi sebanyak 0.021 µm² dan ketumpatan makro SRAM maksimum sebanyak 38.1 megabit/mm² pada ISSCC tahun lepas. SRAM ialah memori cache ultra-cepat yang digunakan di dalam CPU, GPU, dan akselerator AI. Bitcell yang lebih kecil—sel memori individu terkecil—membolehkan lebih banyak memori muat ke dalam ruang yang sama, secara langsung mempengaruhi prestasi dan kecekapan kuasa. https://t.co/tYuy9jFUD4