TSMC akan terus menggunakan teknologi microbump konvensional, bukan hybrid bonding, untuk pengemasan canggih yang menghubungkan memori berpemanduan tinggi (HBM) dengan akselerator AI untuk sementara waktu. Mengingat kitar pembangunan bahan terkait, microbump dengan jarak lebih halus dijangka akan terus digunakan sehingga ke peringkat akhir HBM4 dan ke fasa awal HBM5. Menurut sumber industri bahan pada 2 September, TSMC telah meminta rakan kongsi bahan dan peralatan untuk membangunkan penyelesaian penyambung dan underfill untuk bump kelas kira-kira 5-mikrometer (μm). Dengan kata lain, TSMC ingin microbump yang digunakan semasa ini dalam pengemasan canggih menjadi lebih pendek dan lebih halus. Pemaju Korea dan Jepun telah mula membangunkannya, dengan pengeluaran besar-besaran bump kelas 5μm dianggarkan bermula pada separuh kedua 2028. Sekarang, ketinggian bump adalah sekitar 15–25μm untuk HBM generasi ketiga yang diperluaskan, atau HBM3E, manakala HBM4 hampir mencapai sekitar 10μm. Pemaju bahan Jepun sebelum ini mengatakan mereka menghadapi kesukaran untuk menjamin kualiti di bawah 15μm. Oleh itu, bump 5μm akan berada jauh di bawah ambang kelayakan semasa. Sebab untuk membuat bump lebih pendek dan lebih halus ialah had ketinggian kubus HBM dan keperluan untuk ketumpatan sambungan yang lebih tinggi. Menurut spesifikasi JEDEC, ketinggian maksimum tindih HBM ialah 775μm. Bilangan sambungan I/O terus meningkat, tetapi keseluruhan tindih mesti kekal dalam had ketinggian ini. Dalam pengemasan CoWoS canggih TSMC, GPU dan tindih HBM—yang telah dirangkai oleh pembekal memori—dipasang ke atas silikon interposer menggunakan microbump. Penyusunan 16 keping DRAM itu sendiri dilakukan di dalam pakej HBM oleh syarikat seperti SK hynix dan Samsung Electronics, bukan oleh TSMC. Namun, semakin bertambahnya bilangan sambungan di sisi akselerator, microbump yang digunakan untuk memasang peranti dalam CoWoS juga perlu menjadi lebih pendek dan lebih rapat. HBM generasi pertama dan kedua menggunakan bump solder yang relatif besar. Semakin bertambahnya bilangan keping yang ditindih dan sambungan I/O, microbump menjadi pendekatan utama sekitar generasi HBM3. SK hynix telah menggunakan proses MR-MUF-nya, di mana underfill cecair diaplikasikan selepas reflow besar-besaran, manakala Samsung Electronics menggunakan TC-NCF, yang meletakkan underfill jenis filem antara keping sebelum penyambungan termokompresi. Hybrid bonding telah dibincangkan sebagai langkah seterusnya. Dengan menghilangkan bump dan menyambungkan pad tembaga secara langsung, sambungan boleh dibuat lebih nipis dan jauh lebih rapat. TSMC sudah menggunakan teknologi ini, di bawah platform SoIC, untuk menindih cip logik. Namun, HBM masih dilekatkan kepada interposer menggunakan microbump. Industri enggan meninggalkan proses yang sudah terbukti dari segi hasil, pemeriksaan, dan pengeluaran berskala besar. Pada skala 5μm, pengilang mesti menyelesaikan isu-isu berkaitan underfill tanpa rongga, sisa fluks, dan penyelarasan penyambungan secara serentak. Mengingat tahap kesukaran ini, TSMC kelihatan telah membahagikan tugas pembangunan yang berbeza kepada rakan kongsi bahan dan peralatannya. Arah dalam tindih HBM itu sendiri serupa. Di Hot Chips 2026 bulan lepas, SK hynix menunjukkan peta jalan di mana ia akan terus menggunakan MR-MUF berbentuk microbump melalui HBM4 dan HBM4E, bukan mengadopsi hybrid bonding. Penyambungan langsung diletakkan sebagai teknologi untuk HBM5 dan tindih yang melebihi 20 keping. Pengamat industri percaya bahawa keputusan JEDEC untuk meningkatkan ketinggian maksimum tindih HBM dari 720μm kepada 775μm telah memberikan ruang tambahan untuk memperpanjang penggunaan microbump. Seorang sumber industri bahan berkata, “Permintaan TSMC untuk membangunkan microbump yang lebih halus boleh ditafsirkan sebagai isyarat bahawa, untuk generasi ini, ia bermaksud menggunakan microbump berprofil lebih rendah daripada berpindah kepada penyambungan langsung.” Sumber itu menambah, “Microbump di bawah 15μm sudah dibangunkan, tetapi menjamin kualitinya masih sukar. Cabaran utama bukanlah bump itu sendiri, tetapi membangunkan penyelesaian underfill yang boleh menyokong dan meluluskannya secara boleh dipercayai.”