ChainCatcher melaporkan, menurut sumber industri bahan pada 2 September, TSMC dijangka terus menggunakan teknologi micro-bump tradisional, bukan hybrid bonding, untuk penghantaran paket canggih antara High Bandwidth Memory (HBM) dan akselerator AI dalam jangka pendek. Mengingat tempoh pembangunan bahan yang berkaitan, micro-bump dengan jarak lebih halus dijangka akan terus digunakan hingga akhir HBM4 dan awal HBM5. TSMC telah meminta rakan kongsi bahan dan peralatan untuk mengembangkan penyelesaian bonding dan bottom-filling untuk micro-bump sekitar 5 mikrometer. Pemilik bekalan dari Korea dan Jepun telah mula mengembangkan, dengan pengeluaran massal micro-bump 5μm dijangka bermula pada separuh kedua 2028. Saat ini, ketinggian bump pada HBM3E, versi ekspansi generasi ketiga, adalah sekitar 15–25μm, manakala HBM4 mendekati sekitar 10μm. Pemilik bahan Jepun sebelum ini menyatakan kesukaran dalam menjamin kualiti di bawah 15μm. Pemendekan dan penipisan bump disebabkan oleh had ketinggian kubus HBM serta keperluan kepadatan interkoneks yang lebih tinggi. JEDEC menetapkan ketinggian maksimum tumpukan HBM pada 775μm. Dalam paket CoWoS canggih TSMC, tumpukan HBM yang telah dirangkai oleh pemasok GPU dan memori dipasang ke silikon interposer melalui micro-bump, dengan tumpukan 16 lapisan DRAM die yang diselesaikan di dalam paket HBM oleh SK hynix dan Samsung Electronics. HBM generasi pertama dan kedua menggunakan bump solder yang lebih besar, manakala micro-bump menjadi standard utama sekitar generasi HBM3. SK hynix menggunakan proses MR-MUF, manakala Samsung Electronics menggunakan TC-NCF. Hybrid bonding membolehkan interkoneks yang lebih nipis dan lebih padat melalui bonding langsung pad tembaga, dan TSMC telah menggunakannya di platform SoIC untuk tumpukan logik chip, tetapi HBM masih menggunakan micro-bump untuk menghubungkan interposer.
TSMC akan terus menggunakan pembungkusan micro-bump untuk HBM sehingga HBM5
ChaincatcherKongsi
Ringkasan
TSMC akan terus menggunakan pengemasan micro-bump untuk HBM dalam cip AI sehingga HBM5, menurut ChainCatcher. Syarikat ini sedang bekerja bersama pemasok untuk penyelesaian bump 5-mikron bagi penghasilan besar pada 2028. HBM3E menggunakan bump 15–25μm, manakala HBM4 bergerak ke 10μm. Pedagang yang menilai nisbah risiko-ke-keuntungan mungkin memantau bagaimana teknologi pengemasan memberi kesan terhadap prestasi dan kos cip. TA untuk kripto mencadangkan untuk memantau aset yang berkaitan dengan semikonduktor seiring pertumbuhan penggunaan HBM.
Sumber:Tunjukkan artikel asal
Penafian: Maklumat yang terdapat pada halaman ini mungkin telah diperoleh daripada pihak ketiga dan tidak semestinya menggambarkan pandangan atau pendapat KuCoin. Kandungan ini adalah disediakan bagi tujuan maklumat umum sahaja, tanpa sebarang perwakilan atau waranti dalam apa jua bentuk, dan juga tidak boleh ditafsirkan sebagai nasihat kewangan atau pelaburan. KuCoin tidak akan bertanggungjawab untuk sebarang kesilapan atau pengabaian, atau untuk sebarang akibat yang terhasil daripada penggunaan maklumat ini.
Pelaburan dalam aset digital boleh membawa risiko. Sila menilai risiko produk dan toleransi risiko anda dengan teliti berdasarkan keadaan kewangan anda sendiri. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk kepada Terma Penggunaan dan Pendedahan Risiko kami.