SK Hynix Meneroka Pembangunan DRAM 3D Menggunakan Proses Foundry

iconChaincatcher
Kongsi
AI summary iconRingkasan
SK Hynix menggariskan rancangan pembangunan DRAM 3D di 2026 Future Forum, dengan fokus pada proses foundry untuk sirkuit periferal, pautan bus data berkelajuan tinggi, dan transmisi ultra-pendek. Cabaran termasuk interkoneks halus dan pengikatan. Son Ho-young menyatakan teknologi 3D mengaburkan garis antara wafer dan pembungkusan, mendorong kolaborasi baru yang mematuhi CFT. Profesor Shin mencatat bahawa DRAM 3D boleh meningkatkan aset berisiko tinggi dengan menghubungkan AI, bahan, dan arsitektur.

ChainCatcher melaporkan, pada 9 Mei, SK Hynix menyatakan bahawa pembangunan semikonduktor memori generasi seterusnya, 3D DRAM, boleh memanfaatkan proses fabrikasi kontrak. Sehari sebelumnya, pada Forum Masa Depan SK Hynix 2026 yang diadakan di Pusat Supex, kawasan Yeoju, wakil presiden Kim Kyung-hoon dan Son Ho-young mengemukakan arah teknologi utama 3D DRAM, termasuk penggunaan proses fabrikasi logik untuk litar periferal DRAM, memaksimumkan lebar pita data bus, dan transmisi jarak sangat pendek. 3D DRAM adalah memori DRAM generasi seterusnya yang menumpuk unit penyimpanan secara vertikal daripada susunan satah untuk meningkatkan kepadatan integrasi. Keduanya menyatakan bahawa selain masalah reka bentuk dan haba, pencapaian teknologi ini juga memerlukan penyelesaian cabaran dalam bidang pembungkusan seperti interkoneksi halus, pengikatan, dan integrasi proses. Seiring dengan semakin kaburnya sempadan antara proses depan dan belakang pembungkusan, serta teknologi fabrikasi dan penyimpanan, penyesuaian bersama yang melampaui bidang-bidang sedia ada akan menjadi lebih penting. Son Ho-young menekankan bahawa teknologi 3D sedang mengubah sempadan teknologi kilang wafer dan pembungkusan, dan perlu membina sistem penyesuaian serta kolaborasi baru yang melampaui bidang sedia ada bersama dengan inovasi teknologi pembungkusan canggih. Profesor Shin Chang-hwan dari Universiti Korea, yang turut menyampaikan makalah bertema sama, menyatakan bahawa 3D DRAM bukan sekadar penumpukan semikonduktor secara vertikal, tetapi juga teknologi yang menghapuskan sempadan antara penyimpanan dan logik; seiring dengan pendekatan batas mikrofikasi peranti dan peningkatan masa serta penggunaan kuasa akibat perpindahan data antara sistem dan penyimpanan, peralihan kepada teknologi 3D adalah tidak terelakkan, dan mencadangkan kerangka reka bentuk integrasi 3D yang menghubungkan keempat-empat bidang—bahan, peranti, pembungkusan, dan arsitektur—dengan kecerdasan buatan. Dalam ucapan pembukaannya, Ketua Eksekutif SK Hynix, Kwon No-jun, menyatakan bahawa pasaran penyimpanan dahulu seperti jalan lurus yang mempertandingkan siapa lebih pantas, tetapi kini ia seperti tikungan yang sentiasa berubah; selain kemampuan dalaman, penting juga untuk memahami kelajuan dan arah perubahan persekitaran luar serta beradaptasi secara fleksibel.

Penafian: Maklumat yang terdapat pada halaman ini mungkin telah diperoleh daripada pihak ketiga dan tidak semestinya menggambarkan pandangan atau pendapat KuCoin. Kandungan ini adalah disediakan bagi tujuan maklumat umum sahaja, tanpa sebarang perwakilan atau waranti dalam apa jua bentuk, dan juga tidak boleh ditafsirkan sebagai nasihat kewangan atau pelaburan. KuCoin tidak akan bertanggungjawab untuk sebarang kesilapan atau pengabaian, atau untuk sebarang akibat yang terhasil daripada penggunaan maklumat ini. Pelaburan dalam aset digital boleh membawa risiko. Sila menilai risiko produk dan toleransi risiko anda dengan teliti berdasarkan keadaan kewangan anda sendiri. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk kepada Terma Penggunaan dan Pendedahan Risiko kami.