Samsung Melancarkan BV-NAND dan zHBM untuk AI, Mengklaim Kepadatan 10x Lebih Tinggi Daripada HBM5

iconKuCoinFlash
Kongsi
AI summary iconRingkasan
Samsung mengungkapkan solusi memori BV-NAND dan zHBM di Future Memory Summit, menargetkan aplikasi AI dengan kepadatan 10 kali lebih tinggi daripada HBM5. Prototip BV-NAND, berdasarkan MetaEra, menggunakan teknologi wafer-bonding dengan lebih dari 400 lapisan, menawarkan kepadatan 58% lebih tinggi dan prestasi lebih pantas berbanding V9 NAND. Konsep zHBM dan zNAND-O menumpuk memori secara menegak di atas cip AI untuk meningkatkan bandwidth dan kecekapan. Dengan indeks takut dan serakah menunjukkan optimisme berhati-hati, altcoin yang perlu diperhatikan mungkin mendapat manfaat daripada kemajuan peranti keras seperti ini. Samsung mengklaim kecekapan tenaga 3 kali lebih baik dan rintangan terma 50% lebih rendah.
ME AI melaporkan bahawa Samsung Electronics telah melancarkan prototaip V10 Bonding V-NAND, atau BV-NAND, di Future Memory & Memory Summit (FMS) di Santa Clara, California, AS. Cip ini mempunyai struktur lebih daripada 400 lapisan dan menggunakan arkaitektur ikatan wafer baharu untuk meningkatkan ketumpatan penyimpanan dan prestasi. Samsung menyatakan bahawa teknologi BV-NAND-nya meningkatkan ketumpatan penyimpanan sebanyak kira-kira 58% berbanding V9 NAND generasi sebelumnya, sambil meningkatkan prestasi bacaan, penulisan, dan input/output untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat terhadap penyelesaian penyimpanan berkapasiti tinggi dan berkecekapan tenaga yang lebih tinggi untuk sistem kecerdasan buatan. Samsung juga mempamerkan model konsep pertama di industri bagi arkaitektur zHBM dan zNAND-O. Teknologi ini menyusun unit penyimpanan secara menegak untuk menyimpan lebih banyak data dalam ruang yang lebih kecil. Berbeza dengan cara tradisional di mana HBM dan pemproses AI diletakkan secara sisi, zHBM Samsung menyusun penyimpanan secara menegak di atas akselerator AI untuk memendekkan jarak penghantaran data, meningkatkan bandwidth, serta meningkatkan kecekapan tenaga. Samsung menyatakan bahawa teknologi ikatan wafer-nya berpotensi mencapai ketumpatan penyimpanan lebih daripada 10 kali ganda berbanding memori HBM5 tradisional, sambil meningkatkan kecekapan tenaga sebanyak 3 kali ganda dan mengurangkan rintangan haba lebih daripada separuh. (Sumber: BlockBeats)
Sumber:Tunjukkan artikel asal
Penafian: Maklumat yang terdapat pada halaman ini mungkin telah diperoleh daripada pihak ketiga dan tidak semestinya menggambarkan pandangan atau pendapat KuCoin. Kandungan ini adalah disediakan bagi tujuan maklumat umum sahaja, tanpa sebarang perwakilan atau waranti dalam apa jua bentuk, dan juga tidak boleh ditafsirkan sebagai nasihat kewangan atau pelaburan. KuCoin tidak akan bertanggungjawab untuk sebarang kesilapan atau pengabaian, atau untuk sebarang akibat yang terhasil daripada penggunaan maklumat ini. Pelaburan dalam aset digital boleh membawa risiko. Sila menilai risiko produk dan toleransi risiko anda dengan teliti berdasarkan keadaan kewangan anda sendiri. Untuk maklumat lanjut, sila rujuk kepada Terma Penggunaan dan Pendedahan Risiko kami.