Samsung Mengembangkan HBM4E 8-lapisan untuk NVHBM NVIDIA, Menargetkan Perkongsian Utama

ChainCatcher melaporkan, menurut Seoul Economic Daily, Samsung Electronics sedang mengembangkan produk HBM4E (generasi ketujuh) 8-lapis yang memenuhi persyaratan NVIDIA, untuk merebut posisi mitra utama dalam pasokan memori bandwidth tinggi khusus NVHBM. Produk ini memiliki tinggi tumpukan yang lebih rendah dibandingkan rencana awal 12-lapis dan 16-lapis; spesifikasi kecepatan yang diajukan NVIDIA adalah 17-18 Gbps, sekitar 20% lebih tinggi daripada kecepatan sampel awal HBM4E Samsung (14,4 Gbps), dan akan digunakan pada NVHBM yang dioptimalkan untuk NVLink yang diumumkan NVIDIA. Pendekatan 8-lapis ini bertentangan dengan logika kompetisi HBM sebelumnya yang meningkatkan kapasitas dengan menambah jumlah lapisan tumpukan, sehingga mengurangi kesulitan dan tekanan pada proses pasca-pembuatan, serta memudahkan perluasan pasokan—dianggap sebagai strategi NVIDIA untuk mengatasi kelangkaan memori. NVHBM diharapkan mulai diterapkan pada GPU AI generasi berikutnya “Rubin Ultra” yang akan diluncurkan tahun depan; GPU ini akan meningkatkan skala koneksi antar-GPU dari 72 menjadi hingga 576, serta meningkatkan daya komputasi keseluruhan melalui kolaborasi ratusan GPU yang dilengkapi HBM lebih cepat. Di pasar HBM khusus, Samsung memiliki keunggulan kompetitif dibanding SK Hynix dan Micron, karena NVHBM memerlukan kemampuan desain DRAM bersama dengan chip logika dasar, yang dapat ditangani secara terpadu oleh Samsung. Para ahli industri menyatakan bahwa Samsung telah memverifikasi kecepatan tertinggi di industri untuk HBM4, sehingga dapat memanfaatkan keunggulan dalam persaingan kecepatan.