Mesej BlockBeats, 9 September, menurut Seoul Economic Daily, Samsung Electronics akan bekerjasama dengan ASML, pembuat peralatan lithography terbesar di dunia, untuk membangunkan teknologi lithography ultraviolet ekstrem (EUV) dengan numerik aperture tinggi (High-NA). Samsung sedang terlibat dalam usaha untuk mendorong perubahan piawaian industri, iaitu beralih daripada cakera mask 6 inci yang telah digunakan sejak tahun 1980-an kepada versi 12 inci, serta berusaha menjadi yang pertama membina sistem pengeluaran DRAM berdasarkan peralatan High-NA EUV.
Samsung merancang untuk menerapkan peralatan high-NA EUV dalam produksi DRAM bermula tahun 2028, kemudian memperluas teknologi ini ke proses logik maju 1.4 nanometer untuk mendorong pertumbuhan perniagaan wafer foundry-nya. Pemperbesaran saiz retik bertujuan untuk mengatasi had teknologi EUV. Numerical aperture high-NA EUV adalah 66% lebih tinggi berbanding EUV tradisional, membolehkan pembentukan corak litar yang lebih halus. Menggantikan retik 6 inci yang digunakan semasa ini dengan retik 12 inci dapat meningkatkan kecekapan kilang wafer dan mengurangkan kos pembuatan cip.
