कोरियाई मीडिया की रिपोर्ट्स के अनुसार, TSMC अपने A14 नोड के साथ N5 के बाद शुरू हुए स्टॉल के बाद अंततः SRAM स्केलिंग को फिर से शुरू करने को तैयार है। SRAM बिटसेल आकार 2020 में N5 (5 नैनोमीटर) प्रक्रिया के प्रवर्तन के बाद लगभग आठ सालों तक 0.021 µm² पर स्थिर रहे हैं। हालाँकि, A14 के साथ, एक हाई-डेंसिटी 6T SRAM (स्टैटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) बिटसेल का आकार 0.017 µm² से कम होने की उम्मीद है। कोरियाई मीडिया ने नोट किया कि यह TSMC को Intel की 18A प्रक्रिया से आगे रखेगा, जिसके लिए Intel ने पिछले साल ISSCC पर 0.021 µm² के हाई-डेंसिटी बिटसेल आकार और 38.1 मेगाबिट/मिमी² की अधिकतम SRAM मैक्रो घनत्व की घोषणा की थी। SRAM CPU, GPU और AI एक्सेलरेटर्स के अंदर उपयोग की जाने वाली अति-तेज़ कैश मेमोरी है। छोटे बिटसेल—सबसे छोटे व्यक्तिगत मेमोरी सेल—एक ही क्षेत्र में अधिक मेमोरी को समाहित करने की अनुमति देते हैं, जो प्रदर्शन और बिजली की दक्षता पर सीधा प्रभाव डालता है। https://t.co/tYuy9jFUD4