पिछले कुछ दिनों के मेमोरी उद्योग के समाचारों से सबसे मूल्यवान जानकारी लैम रिसर्च के सीईओ टिम आर्चर से आई। 21 अक्टूबर, 2026 को कंपनी के आय घोषणा कॉल पर, आर्चर ने स्पष्ट किया कि AI के लिए SLC NAND के बढ़ते अपनाये जाने से समान रकम के स्टोरेज की आपूर्ति के लिए आवश्यक वेफर क्षमता बढ़ सकती है। आइए इसे बेहतर तरीके से देखें। विशेष रूप से, TLC से SLC-क्लास उत्पादों पर स्विच करने से प्रति सेल संग्रहीत बिट्स की संख्या लगभग एक-तिहाई तक कम हो जाती है। परिणामस्वरूप, उन्होंने कहा, SLC के कुल NAND बिट्स में हर 1 प्रतिशत वृद्धि के लिए समान कुल बिट मांग को पूरा करने के लिए लगभग 2% अधिक वेफर क्षमता की आवश्यकता होगी। कुछ पाठक सोच सकते हैं कि क्या SLC NAND उत्पादन का एक पुराना तरीका है, जो मुख्य रूप से पुराने उत्पादों में उपयोग किया जाता है। इससे बहुत दूर। SLC एक अत्यंत प्रतिशुद्ध क्षेत्र है, जो NAND में HBM की DRAM में भूमिका की तरह ही भूमिका निभा सकता है। NVIDIA और हाइपरस्केलर्स सहित NAND ग्राहक, SLC पर आधारित अगली पीढ़ी के उत्पादों का विकास कर रहे हैं। NVIDIA परितंत्र के भीतर, ध्यान SLC-आधारित XL-Flash, जिसे हाई-IOPS NAND के रूप में भी जाना जाता है, पर केंद्रित है। NVIDIA परितंत्र के बाहर, SLC का उपयोग HBF के आधार के रूप में भी किया जा रहा है। सरल शब्दों में, एक TLC वेफर की स्टोरेज क्षमता को मैच करने के लिए लगभग तीन SLC वेफर की आवश्यकता होती है, जबकि एक QLC वेफर की स्टोरेज क्षमता को मैच करने के लिए लगभग चार SLC वेफर की। इन SLC-आधारित उत्पादों के उत्पादन में वृद्धि होने पर, वे NAND वेफर क्षमता का बढ़ता हुआ हिस्सा खपत करेंगे। Just as HBM drove shortages in DRAM, these products could create a similar dynamic in NAND. HBF और XL-Flash क्रमशः 2028 और 2027 में मासिक उत्पादन में प्रवेश करने की योजना है, मुझे लगता है कि हमें 2027 कीचौथी तिमाही में NAND मूल्यों में कमी की प्रवृत्ति प्रारंभ होने की कुछविश्लेषकों की पूर्वानुमानों पर पुन:विचार करना चाहिए, क्योंकि संभवतःयहअत्यधिकसंयमितहै।