SK हाइलेक्स ने अपने प्रमुख ग्राहकों को HBM4E नमूने वितरित किए, जो 12-स्तरीय स्टैक्ड फ्लैगशिप मेमोरी है जिसकी प्रति पिन गति 16Gbps है, जिसमें ऊर्जा दक्षता में 20% से अधिक की वृद्धि हुई है, तापमान प्रतिरोध में 17% की कमी हुई है, और एकल चिप की क्षमता 48GB है। इस समाचार के आने के बाद, कंपनी के शेयर दिन के दौरान 7.3% बढ़कर ऐतिहासिक उच्च स्तर पर पहुंच गए, और बाजार में AI मेमोरी क्षेत्र में इसके नेतृत्व की उम्मीदें पूरी तरह से बढ़ गईं।
SK हाइलेक्स ने अपने प्रमुख ग्राहकों को अगली पीढ़ी के AI मेमोरी चिप HBM4E के नमूने वितरित करने की घोषणा की, जिससे कंपनी के शेयर की कीमत इतिहास में सर्वोच्च स्तर पर पहुंच गई।
SK हाइलेक्स ने गुरुवार को अपनी वेबसाइट पर कहा कि इस 12-स्तरीय HBM4E उत्पाद की प्रति पिन अधिकतम डेटा प्रोसेसिंग गति 16Gbps है, जिसमें पिछली पीढ़ी की तुलना में ऊर्जा दक्षता में 20% से अधिक की वृद्धि हुई है और उन्नत पैकेजिंग तकनीक के माध्यम से ताप विसर्जन प्रतिरोध में 17% की कमी हुई है। SK हाइलेक्स ने कहा कि वह उत्पाद को समय पर बड़े पैमाने पर उत्पादन में लाने के लिए साझेदारों के साथ निकट से सहयोग करेगी।
इस नमूने की डिलीवरी से SK हाइलेक्स के उच्च बैंडविड्थ मेमोरी के क्षेत्र में तकनीकी अपग्रेड की गति फिर से बढ़ गई है, जिससे AI इंफ्रास्ट्रक्चर सप्लाई चेन में इसकी केंद्रीय स्थिति और मजबूत हुई है, और बाजार को HBM तकनीकी रास्ते में इसके नेतृत्व का नवीनतम संकेत मिला है।
संदेश जारी होने के बाद, SK हाइलिस का स्टॉक कोरियाई प्लेटफॉर्म पर दिन के दौरान 7.3% बढ़कर ऐतिहासिक दिन का उच्च स्तर बन गया। यह वृद्धि बाजार में कंपनी के AI मेमोरी सेगमेंट में लगातार अग्रणी स्थिति के प्रति मजबूत अपेक्षाओं को दर्शाती है। HBM3, HBM3E से लेकर HBM4 तक, SK हाइलिस ने बड़े पैमाने पर उत्पादन और आपूर्ति की पूर्ण डिलीवरी क्षमता विकसित कर ली है, और HBM4E के नमूनों का समय पर भेजा जाना निवेशकों के लिए इसकी तकनीकी क्षमता के प्रति विश्वास को और मजबूत करता है।
प्रदर्शन और दक्षता में दोहरी छलांग
SK हाइलेसिस ने बयान में प्रकट किया कि 12-लेयर HBM4E ने प्रदर्शन और ऊर्जा दक्षता दोनों में महत्वपूर्ण सुधार किया है।
विशेष रूप से, इस उत्पाद की प्रति पिन अधिकतम डेटा प्रोसेसिंग गति 16 Gbps है और पिछली पीढ़ी की तुलना में ऊर्जा दक्षता में 20% से अधिक की वृद्धि हुई है। इसके साथ ही, HBM4E नवीनतम इंटरफेस डिज़ाइन और अनुकूलन के माध्यम से डेटा प्रसारण लेटेंसी को प्रभावी ढंग से कम करता है और उच्च बैंडविड्थ परिवेश में स्थिरता बनाए रखता है। उपरोक्त विशेषताएँ AI प्रशिक्षण और निष्कर्षण परिदृश्यों में डेटा प्रोसेसिंग क्षमता को सीधे बढ़ाती हैं, जिससे ग्राहक AI डेटासेंटर और विशालकाय कंप्यूटिंग सिस्टम में संचालन की दक्षता में सुधार कर सकते हैं।
Advanced packaging technology supports 48GB capacity
पैकेजिंग प्रक्रिया के स्तर पर, एसके हाइलेक्स ने 12-लेयर स्टैक्ड स्ट्रक्चर में 48GB एकल चिप क्षमता प्राप्त करने के लिए एडवांस्ड MR-MUF (बड़े पैमाने पर रीफ्लो मोल्डिंग बॉटम फिल) तकनीक का उपयोग किया है, जबकि स्ट्रक्चरल स्थिरता को सुनिश्चित किया गया है।
MR-MUF प्रक्रिया चिप के बीच तरल सुरक्षात्मक सामग्री के इंजेक्शन के माध्यम से सर्किट की सुरक्षा करती है, और SK हाइलेक्स ने इसे और बेहतर बनाया है, जिससे HBM4E का ताप विसर्जन प्रतिरोध पिछली पीढ़ी HBM4 की तुलना में 17% कम हो गया है, जिससे मेमोरी चिप के उच्च प्रदर्शन गणना परिवेश में स्थिर संचालन की गारंटी मिलती है। यह प्रौद्योगिकीय क्रांति लगातार उच्च भार वाले AI डेटा केंद्रों के लिए विशेष रूप से महत्वपूर्ण है।
एसके हाइलेक्ट्रॉनिक्स के प्रबंध निदेशक और मुख्य विकास अधिकारी अन ह्यून ने बयान में कहा: "एसके हाइलेक्ट्रॉनिक्स, बाजार में अग्रणी तकनीकी क्षमता और निर्माण विशेषज्ञता के साथ, HBM4E के आधार पर AI नेतृत्व को मजबूत करने की नींव रखता है। साझेदारों के साथ घनिष्ठ सहयोग के माध्यम से, हम बाजार को आवश्यक मूल्य प्रदान करेंगे और पूर्ण स्टैक AI मेमोरी निर्माता के रूप में तकनीकी नेतृत्व को और मजबूत करेंगे।"
SK हाइलेसिस ने जोर देकर कहा कि HBM3, HBM3E और HBM4 के बड़े पैमाने पर उत्पादन और आपूर्ति में कंपनी के पिछले अनुभव, HBM4E के नमूनों के समय पर वितरण का महत्वपूर्ण आधार है। कंपनी ने कहा कि वह बाजार द्वारा सत्यापित उत्पाद विश्वसनीयता और आपूर्ति क्षमता का उपयोग करके अगली पीढ़ी के बुनियादी ढांचे के विकास का समर्थन करेगी और AI सिस्टम की प्रदर्शन सीमाओं को दूर करने में मदद करेगी।