सैमसंग की हाइब्रिड बॉन्डिंग तकनीक का उपयोग एनवीडिया के अगली पीढ़ी के एआई त्वरक फेयनमैन में किया जाएगा

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सैमसंग पायोंगटेक P5 में अगली पीढ़ी के HBM और लॉजिक चिप्स के लिए डाई-टू-वेफर हाइब्रिड बॉन्डिंग लाइन बना रहा है। कंपनी 60 बिलियन KRW प्रति मशीन की दर से Besi से 50 मशीनें खरीदेगी। SEMES ने पहले ही एक स्थानीय संस्करण विकसित कर लिया है। यह तकनीक NVIDIA के AI एक्सेलरेटर Feynman को कस्टम HBM के साथ संचालित करने की उम्मीद की जा रही है। AI + क्रिप्टो समाचार सेमीकंडक्टर की बढ़ती मांग को दर्शाते हैं। बड़े पैमाने पर उत्पादन 2029–2030 के लिए लक्षित है।

ChainThink के अनुसार, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने प्योंगटेक P5 फैक्ट्री में डाई-टू-वेफर मिक्स्ड बॉन्डिंग की बड़े पैमाने पर उत्पादन लाइन का निर्माण शुरू कर दिया है, जिसका लक्ष्य अगली पीढ़ी के HBM और लॉजिक सेमीकंडक्टर के लिए उन्नत पैकेजिंग है।

डिवाइस के मामले में, सैमसंग ने नीदरलैंड के Besi को प्राथमिकता दी है और लगभग 50 मिक्स्ड बॉन्डिंग मशीनें खरीदने की योजना बना रहा है, जिनकी कीमत प्रति यूनिट लगभग 60 अरब दक्षिण कोरियाई वोन (लगभग 4.3 मिलियन अमेरिकी डॉलर) है, जो प्रतिद्वंद्वी की कीमत के लगभग दोगुना है। चूंकि सैमसंग ने डिवाइस आर्किटेक्चर में कस्टम मॉडिफिकेशन की मांग की है, इसलिए बातचीत की प्रगति धीमी है;

इसी समय, बेसी टाइवेई और माइक्रॉन को भी आपूर्ति करता है, इसलिए अकेले सैमसंग के लिए मशीन बदलने के बारे में सावधानी से रुख अपनाता है। सैमसंग स्थानीय विकल्पों का आकलन भी कर रहा है। उपनिगम SEMES ने D2W मिक्स्ड बॉन्डिंग मशीन का विकास पूरा कर लिया है और इस साल के शुरुआती समय में नमूने भेजकर सत्यापन किया है;

ह्वाहा सेमीटेक ने फरवरी में दूसरी पीढ़ी के "SHB2 Nano" का विकास पूरा किया, और अप्रैल में इसे एसके हाइलेट्स को सैंपल के रूप में भेज दिया गया।

Citrini विश्लेषक जूकन के अनुसार, यह तकनीक निविडा के अगली पीढ़ी के AI त्वरक Feynman में उपयोग की जाने की उम्मीद है, जिसमें कस्टम HBM का उपयोग किया जाएगा;

सैमसंग के आंतरिक अनुमान के अनुसार, संबंधित प्रौद्योगिकी का बड़े पैमाने पर अनुप्रयोग लगभग 2029 से 2030 तक ही संभव होगा।

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