RE : L'affirmation selon laquelle TSMC entrera dans le secteur de la mémoire et perturbera les trois grands fabricants de mémoire Cela n’a aucun sens. Pour autant que je sache, TSMC travaille sur ce projet depuis plus de cinq ans, mais il serait erroné de supposer qu’ils développent un DRAM standard. TSMC ne possède aucun IP DRAM, aucune brevet DRAM, ni aucune technologie pertinente. Je pense que le terme « 3D DRAM » est à l’origine de cette méprise. Après avoir échangé avec des experts du secteur, je crois que voici la bonne façon d’interpréter les rapports sur l’entrée de TSMC dans le domaine du DRAM. Les recherches précédemment publiées par TSMC donnent une bonne indication de la direction prise. Au VLSI Symposium 2025, TSMC a présenté une technologie de mémoire basée sur des semi-conducteurs oxydes, utilisant une cellule composée d’un transistor et d’un condensateur (1T1C). L’objectif était d’intégrer cette mémoire dans des circuits logiques avancés et de doter les processeurs d’un cache à faible consommation et faible latence. La caractéristique clé de cette conception est que le tableau de mémoire est directement intégré dans les couches d’interconnexion BEOL (Back End of Line) du circuit logique. Le DRAM conventionnel est fabriqué comme un composant séparé. Pour construire le tableau de mémoire dans les couches d’interconnexion d’un circuit logique avancé, TSMC a utilisé des transistors de sélection à canal en semi-conducteur oxyde et des condensateurs fabriqués avec un procédé à basse température. Selon TSMC, la puce de test, qui intègre mémoire et logique sur une seule puce, fonctionne à 0,75 V. La rétention des données dépasse 128 ms, le temps de cycle en lecture/écriture aléatoire est inférieur à 8 ns, et la durabilité dépasse 10¹⁴ cycles. TSMC positionne cette technologie comme un cache processeur offrant une densité supérieure à celle du SRAM tout en maintenant une faible consommation d’énergie et une faible latence. Ainsi, TSMC produirait un 3D DRAM comme technologie de prochaine génération destinée à remplacer le SRAM. Et ce, sans production à grande échelle. Quiconque affirme que TSMC produira du DDR ou du LPDDR ne comprend rien à ce sujet.