SK Hynix lance la R&D de DRAM empilées en 3D pour le stockage Edge AI

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SK Hynix développe la recherche et le développement de DRAM empilées en 3D pour le stockage edge AI, en partenariat avec MetaEra. L'entreprise recrute des ingénieurs conception aux États-Unis et prévoit de co-développer la technologie avec ses clients. Cette actualité sur chaîne met en lumière une tendance clé dans les actualités IA + crypto, car cette mémoire empilée sera utilisée pour alimenter l'IA edge dans l'ère post-générative. Les piles de mémoire sont directement intégrées sur les puces logiques, dans le but d'améliorer les performances des appareils IA de prochaine génération.
ME AI Les messages indiquent que SK Hynix accélère le développement de la technologie DRAM de prochaine génération considérée comme essentielle pour l'IA de bout en bout : la DRAM empilée en 3D. Il est rapporté que l'entreprise a récemment lancé un programme de recrutement de talents et prévoit de collaborer avec des clients américains pour concevoir conjointement cette technologie. La conception de la DRAM empilée en 3D est une technologie semi-conductrice de prochaine génération qui consiste à empiler directement les puces mémoire sur des semi-conducteurs logiques (semi-conducteurs système). Le secteur anticipe que, dans l'ère de l'IA physique qui suivra l'IA générative, ce type de technologie deviendra la solution semi-conductrice centrale pour les appareils d'IA de bout en bout. SK Hynix recrute actuellement des ingénieurs en conception de DRAM empilée en 3D via son entité américaine située à San José, afin de faire progresser le développement de ces technologies. Cliquez sur le lien original ci-dessous pour rejoindre Beating · le canal d'actualités AI sur Feishu, qui surveille en continu 7j/7 et 24h/24 les tendances et actualités mondiales en matière d'IA. (Source : BlockBeats)
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