Odaily Planet Daily : SK Hynix et SanDisk ont publié la première spécification standard de la nouvelle technologie de stockage basée sur la mémoire NAND, appelée High Bandwidth Flash (HBF). SK Hynix a présenté cette spécification du 4 au 6 août à la FMS 2026 à Santa Clara, en Californie, États-Unis.
HBF empile les mémoires NAND de manière verticale, similaire à la mémoire à large bande passante (HBM), pour augmenter la capacité et la vitesse de transfert de données. Cette spécification définit deux configurations d'empilement : 8 couches et 16 couches de NAND die, avec une capacité maximale de 512 Go et trois niveaux de bande passante, allant de 0,4 To/s à 3,0 To/s.
La connexion HBF aux processeurs utilise la norme industrielle UCIe, permettant de relier différents types de processeurs tels que GPU et CPU. Cette spécification est publiée par l'organisation de collaboration technologique Open Compute Project (OCP). L'alliance HBF comprend actuellement Google et l'entreprise de semi-conducteurs pour l'IA Tenstorrent.
SK Hynix présentera également pour la première fois lors de cet événement la puce et le produit de 10e génération (V10) de NAND 4D à 375 couches, et prévoit de lancer la production en série début l'année prochaine d'eSSD hautement performants et à grande capacité basés sur cette technologie.
