SK Hynix accélère la production de DRAM 1c et dépassera Samsung d'ici le Q4

Selon les nouvelles de ME, le 7 septembre (UTC+8), SK Hynix accélère l'augmentation de la part de production de DRAM de sixième génération à 10 nm (1c). Selon les experts du secteur, SK Hynix accélérera ce transfert au second semestre, avec une part estimée à environ 34 % au quatrième trimestre, dépassant légèrement Samsung Electronics, qui se situe à environ 31 %. Lors de la conférence téléphonique sur les résultats du deuxième trimestre, SK Hynix a indiqué que la production de DRAM utilisant le processus 1c a démarré de manière significative à partir du deuxième trimestre, et que, au second semestre, avec l'augmentation de la production de HBM4 et des livraisons de DRAM générique 1c, le taux de croissance en bits dépassera celui du premier semestre. Samsung Electronics utilise désormais le DRAM 1c à partir du HBM4, avec une vitesse d'exploitation d'environ 11,7 Gbps ; SK Hynix avait précédemment privilégié la stabilité de la production en utilisant du DRAM 1b validé et un emballage avancé MR-MUF, et introduit pour la première fois le DRAM 1c comme puce centrale dans le HBM4E suivant. Selon des estimations de Counterpoint Research et d'autres analystes, le marché du HBM4 cette année devrait être partagé entre NVIDIA, Google et AMD, avec environ 50 % pour SK Hynix, 20 % pour Samsung Electronics et 10 % pour Micron. (Source : ChainCatcher)