Samsung dévoile BV-NAND et zHBM pour l'IA, affirme une densité 10 fois supérieure à celle de l'HBM5

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Samsung a dévoilé ses solutions mémoire BV-NAND et zHBM lors du Future Memory Summit, ciblant les applications IA avec une densité 10 fois supérieure à celle de l'HBM5. Le prototype BV-NAND, basé sur MetaEra, utilise une technologie de liaison de wafers avec plus de 400 couches, offrant une densité supérieure de 58 % et des performances plus rapides que le V9 NAND. Les concepts zHBM et zNAND-O empilent les mémoires verticalement sur les puces IA pour augmenter la bande passante et l'efficacité. Avec l'indice peur et avidité affichant une optimisation prudente, les altcoins à surveiller pourraient bénéficier de ces avancées matérielles. Samsung affirme une efficacité énergétique 3 fois supérieure et une résistance thermique réduite de 50 %.
ME AI a dévoilé son prototype de BV-NAND, un V10 Bonding V-NAND, lors de la Future Memory and Storage (FMS) à Santa Clara, en Californie, aux États-Unis. Ce puce comporte plus de 400 couches et utilise une nouvelle architecture de liaison de wafer pour augmenter la densité de stockage et améliorer les performances. Samsung affirme que sa technologie BV-NAND augmente la densité de stockage d’environ 58 % par rapport à la génération précédente V9 NAND, tout en améliorant les performances en lecture, écriture et entrée/sortie pour répondre à la demande croissante des systèmes d’intelligence artificielle en solutions de stockage à plus haute capacité et plus efficaces énergétiquement. Samsung a également présenté des modèles conceptuels de zHBM et zNAND-O, qu’il qualifie de premiers au monde. Cette technologie permet de stocker davantage de données dans un espace réduit grâce à l’empilement vertical des cellules de stockage. Contrairement aux HBM traditionnels, qui sont emballés côte à côte avec les processeurs IA, le zHBM de Samsung empile verticalement le stockage au-dessus des accélérateurs IA, réduisant ainsi la distance de transmission des données, augmentant la bande passante et améliorant l’efficacité énergétique. Samsung affirme que sa technologie de liaison de wafer pourrait atteindre une densité de stockage supérieure de plus de 10 fois à celle des mémoires HBM5 traditionnelles, tout en augmentant l’efficacité énergétique de trois fois et en réduisant la résistance thermique de plus de 50 %. (Source : BlockBeats)
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