ChainCatcher rapporte que Samsung Electronics prévoit de finaliser le développement de sa technologie d'empilement avancée 3D Cube-H au début de l'année 2027, ainsi que la mise au point de son premier jeu de conception, avant de lancer des évaluations avec des clients potentiels. Cette technologie repose sur le lien hybride pour permettre l'empilement vertical des puces, ciblant principalement les semi-conducteurs haute performance pour l'IA, et pouvant être utilisée pour empiler des puces logiques telles que les GPU, ou intégrer des puces logiques sur des puces de mémoire comme les HBM. Samsung Electronics a déjà développé la technologie 3D Cube-T basée sur le lien par compression thermique, et avance actuellement sur la 3D Cube-H avec un pas de terminaison d'environ 6 micromètres, contre environ 25 micromètres pour les puces liées par compression thermique. Le lien hybride, qui connecte directement les matériaux cuivre entre les puces, permet de réduire le pas de terminaison, d'augmenter la densité de connexion et de diminuer la consommation énergétique par bit ; ses caractéristiques de dissipation thermique diffèrent également de celles des solutions par compression thermique.
Samsung achevera le développement du 3D Cube-H début 2027
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Samsung prévoit de finaliser sa technologie de conditionnement 3D Cube-H début 2027, accompagnée d’un kit de conception. Cette technologie utilise le liage hybride pour empiler des puces verticalement, ciblant les semi-conducteurs haute performance pour l’IA. Elle permet d’empiler des puces logiques comme les GPU ou de les associer à de la mémoire HBM. Samsung avait précédemment développé la 3D Cube-T avec un liage par compression thermique. La 3D Cube-H offre désormais un pas de terminal de 6 micromètres, contre 25 micromètres auparavant. Le liage hybride relie directement le cuivre entre les puces, améliorant la densité, réduisant la consommation d’énergie et optimisant les performances thermiques. Ce développement s’aligne sur les tendances croissantes en matière d’IA et de crypto.
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