Samsung et ASML collaborent sur la lithographie EUV High-NA de prochaine génération pour la production de DRAM

KuCoinFlash

Date de parution : 2026/09/09 00:12:01

Résumé

Samsung et ASML unissent leurs forces pour la lithographie High-NA EUV destinée au DRAM, une mise à jour importante sur les nouvelles chaines. Le passage aux masques photolithographiques de 12 pouces représente un changement majeur depuis les années 1980. Samsung prévoit de produire en masse du DRAM à l'aide de cette technologie d'ici 2028. High-NA EUV offre une ouverture 66 % plus élevée, permettant des motifs plus fins et des coûts réduits. Les nouvelles cryptos soulignent cette avancée comme une étape vers des processus logiques de 1,4 nm, renforçant les capacités de fonderie de Samsung.

BlockBeats - Le 9 septembre, selon le Seoul Economic Daily, Samsung Electronics collaborera avec ASML, le plus grand fabricant mondial d'équipements de lithographie, pour développer la technologie de lithographie extrême ultraviolet à haut nombre d'ouverture (High-NA EUV). Samsung participe à une initiative visant à faire passer la norme industrielle de masques de lithographie de 6 pouces, utilisés depuis les années 1980, à des masques de 12 pouces, et vise à devenir le premier à établir un système de production en série de DRAM basé sur des équipements High-NA EUV.

Samsung prévoit d'appliquer des équipements EUV à haute NA à la production DRAM à partir de 2028, puis d'étendre ultérieurement cette technologie à un processus logique avancé de 1,4 nanomètre pour stimuler son activité de fabrication de puces. L'élargissement de la taille des masques vise à compenser les limites de la technologie EUV. L'ouverture numérique des équipements EUV à haute NA est supérieure de 66 % à celle des EUV traditionnels, permettant de créer des motifs de circuits plus précis. Le remplacement des masques actuels de 6 pouces par des masques de 12 pouces permet d'augmenter l'efficacité de production des usines et de réduire les coûts de fabrication des puces.

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