Goldman Sachs écarte trois préoccupations baissières clés sur le secteur des puces mémoire

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Goldman Sachs a rejeté une tendance baissière clé du secteur des puces mémoire dans son dernier rapport hebdomadaire. Le 7 août 2026, le trader basé à Séoul, Justin Park, a publié un rapport contredisant trois préoccupations majeures, notamment les contraintes d'approvisionnement en HBM et la demande en NAND. L'entreprise anticipe un cycle mémoire plus fort et plus long que les précédents. Goldman maintient une position surpondérée sur le marché coréen, avec un objectif KOSPI à 12 mois fixé à 12 000 points. Des signaux de demande positifs provenant de DeepSeek et de Yangtze Memory Technologies ont également été mis en avant.

Selon Mars Finance, le 7 août, dans son rapport d'aujourd'hui, Justin Park, trader à la succursale de Séoul de Goldman Sachs en Asie, a indiqué que les fortes fluctuations récentes du marché boursier coréen ont poussé les attentes fondamentales du secteur des puces de stockage à un niveau excessivement pessimiste, la valorisation du marché intégrant un pessimisme fondamental « supérieur à la réalité ». La force et la durée du cycle de stockage pourraient toutes deux dépasser celles des cycles précédents. Goldman Sachs maintient sa position surpondérée sur le marché coréen et son objectif de 12 000 points pour le KOSPI sur les 12 prochains mois. Après avoir atteint son sommet le 22 juin, l'indice KOSPI a chuté de 39 %, puis a bondi de 17,9 % en une seule journée le 31 juillet, enregistrant la plus forte hausse journalière de son histoire. Goldman Sachs estime que ce repli brusque du KOSPI n'est pas dû à une détérioration fondamentale réelle, mais a été déclenché par des inquiétudes concernant la durabilité du cycle de stockage, amplifié par la vente passive des ETF leviers et la vente en cascade des investisseurs à court terme. Les indicateurs techniques se sont nettement améliorés — la taille des ETF leviers a diminué, les expositions en marge ont baissé, la réglementation s'est renforcée et les positions des hedge funds ont reculé, ce qui a assaini la structure des actifs du marché et posé les bases d'une reprise future. Goldman Sachs réfute point par point les trois principales inquiétudes des vendeurs à découvert. Inquiétude 1 : NVIDIA prévoit de réduire la configuration HBM du Rubin Ultra. Goldman Sachs interprète cela à l'inverse — cela confirme précisément la contrainte structurelle de l'offre HBM ; l'HBM est devenu le composant le plus critique et le plus rare de la chaîne de valeur de l'IA, et sa disponibilité sera un facteur limitant clé pour l'expansion mondiale de l'IA. Inquiétude 2 : Le coût d'opportunité de la stratégie LTA de SK Hynix. Une grande partie de la capacité est bloquée sur des lignes de production HBM3E anciennes, ce qui a fait chuter la part de marché de SK Hynix en DRAM au deuxième trimestre à 26 %, tandis que Samsung retrouvait la première place avec 39 %, réduisant l'écart avec Micron à seulement 1 point de pourcentage. Goldman Sachs estime que la compétitivité future de SK Hynix dépendra de sa capacité à effectuer rapidement le passage aux nouvelles lignes de production. Inquiétude 3 : Le récit selon lequel les NAND sont « mieux que prévu mais en dessous des attentes » a déclenché des prises de bénéfices ; les activités consommateur et edge computing ont chuté de 32 % en glissement trimestriel, et la direction anticipe un redressement substantiel seulement en 2027. Le jugement structurel de Goldman Sachs est que l'espace de miniaturisation du processus DRAM tend vers sa saturation — 10 nanomètres sera probablement le dernier nœud ; la baisse du taux de rendement et l'augmentation considérable des dépenses en capital soutiendront structurellement une vision positive du cycle de stockage. Du côté de la demande, deux signaux positifs émergent : ChangXin Memory a refusé les demandes d'Apple de réduction des prix, fixant ses tarifs au même niveau que Samsung et SK Hynix ; DeepSeek prévoit une « forte » hausse des prix, marquant la fin de l'ère des subventions à prix très bas pour l'inférence IA.

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