L'ETF Global Memory ajoute ChangXin Technology, le leader chinois du DRAM attire l'attention des capitaux internationaux

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Les entrées d'ETF dans le Roundhill Memory ETF (DRAM) se sont poursuivies alors que le fonds a ajouté ChangXin Technology à ses dix premières positions le 3 août 2026, avec un poids de 2,52 %. Le ETF a réduit sa position dans GigaDevice, abaissant son poids à 1,51 %. ChangXin est désormais la huitième plus grande position et la société chinoise de stockage avec le poids le plus élevé du portefeuille. Les dix principales positions du ETF incluent Samsung Electronics, Micron Technology et SK Hynix. ChangXin, cotée sur le STAR Market, a clôturé à 54,99 RMB, avec une capitalisation boursière de 3,68 billions de RMB. Des sorties d'ETF ont été observées dans les fonds leviers, Morgan Stanley suggérant de nouvelles opportunités d'entrée dans l'IA et les cycles industriels.

Selon Mars Finance, le 3 août, le premier ETF au monde entièrement dédié au secteur de la mémoire, le Roundhill Memory ETF (DRAM), a effectué son dernier rééquilibrage en intégrant ChangXin Memory Technologies, un fabricant chinois de DRAM, parmi ses dix principales positions, avec une pondération de 2,52 %, la plaçant comme huitième action la plus lourde. Les données montrent que, dans le même temps, l'ETF a réduit la pondération de Gigadevice, une entreprise chinoise de stockage cotée sur le marché A, passant de 2,91 % à 1,51 %, ce qui a fait chuter sa position au dixième rang. ChangXin Memory Technologies est désormais le titre chinois de stockage le plus lourdement pondéré dans cet ETF. Des observateurs du marché indiquent que l'inclusion de ChangXin Memory Technologies dans un ETF mondial dédié au stockage signifie que les capitaux internationaux commencent à accorder une attention accrue au développement de l'industrie chinoise du DRAM. Actuellement, ChangXin Memory Technologies figure désormais dans le même portefeuille d'investissement que des géants mondiaux du stockage tels que Samsung Electronics, Micron Technology et SK Hynix. ChangXin Memory Technologies a été introduite sur le marché STAR le 27 juillet à un prix d'émission de 8,66 yuans, clôturant à 49 yuans le premier jour de négociation, soit une hausse journalière de 465,82 %. Au 3 août, à la clôture, son cours était de 54,99 yuans, avec une capitalisation boursière d'environ 3,68 billions de yuans. Selon les données d'Omdia, le part de marché mondial de ChangXin Memory Technologies en DRAM devrait atteindre environ 7,67 % au quatrième trimestre 2025, se classant quatrième au niveau mondial. Le Roundhill Memory ETF a été coté sur la bourse Cboe BZX aux États-Unis le 2 avril 2026 et constitue le premier ETF mondial entièrement dédié aux puces mémoire. Les données indiquent que trois mois après son introduction, son actif total a dépassé 25 milliards de dollars américains. Ses dix principales positions incluent Samsung Electronics, Micron Technology, SK Hynix, Western Digital, Seagate Technology, SanDisk, Kioxia Holdings, ChangXin Memory Technologies, Nanya Technology et Gigadevice. Récemment, les actions des fabricants mondiaux de puces de stockage ont connu un ajustement : le 3 août, l'indice composite coréen a chuté de 5,12 %, tandis que les cours de Samsung Electronics et SK Hynix ont tous deux baissé d'environ 9 %. Morgan Stanley estime que le recentrage des fonds leviers pourrait ouvrir de nouvelles opportunités d'entrée dans les investissements liés à l'IA et au cycle industriel.

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