L'ETF sur la mémoire DRAM ajoute ChangXin Technology avec un poids de 2,52 %

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L'ETF sur la mémoire DRAM enregistre des entrées d'ETF après l'ajout de ChangXin Technology avec un poids de 2,52 %. L'ETF, lancé le 2 avril 2026, détient 24,55 milliards de dollars en actifs et a généré un rendement de 161,5 % à partir d'un pic de 190 %. Samsung, Micron et SK Hynix contrôlent plus de 73 % du portefeuille. ChangXin, une des principales entreprises de mémoire cotée en A-shares, est la dernière addition. Les sorties d'ETF ont mis sous pression le secteur, mais cet ETF reste un levier clé pour exploiter la demande en mémoire.

Odaily Planet Daily rapporte que l'analyste chain-based Ai Yi a publié un message sur la plateforme X indiquant que le premier ETF purement dédié au stockage aux États-Unis, le DRAM Memory ETF, inclut ChangXin Memory Technologies. Cet ETF a été créé le 2 avril 2026, avec une taille de 24,55 milliards de dollars américains, et son rendement a atteint un pic de 190 %, restant à 161,5 % après un recul du secteur du stockage. Samsung, Micron et SK Hynix représentent ensemble plus de 73 % des poids ; après GigaDevice, il s'agit de la deuxième fois qu'un leader chinois du stockage coté sur le marché A est inclus, avec un poids de 2,52 % pour ChangXin.

Après son introduction sur le Sci-Tech board, la capitalisation boursière de ChangXin Technology reste supérieure à 3 000 milliards de yuans et a même brièvement dépassé 4 000 milliards de yuans. Elle cessera dès lundi prochain la période sans limites de variation des prix et entrera dans la phase de négociation habituelle.

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