Odaily Planet Daily rapporte que l'analyste chain-based Ai Yi a publié un message sur la plateforme X indiquant que le premier ETF purement dédié au stockage aux États-Unis, le DRAM Memory ETF, inclut ChangXin Memory Technologies. Cet ETF a été créé le 2 avril 2026, avec une taille de 24,55 milliards de dollars américains, et son rendement a atteint un pic de 190 %, restant à 161,5 % après un recul du secteur du stockage. Samsung, Micron et SK Hynix représentent ensemble plus de 73 % des poids ; après GigaDevice, il s'agit de la deuxième fois qu'un leader chinois du stockage coté sur le marché A est inclus, avec un poids de 2,52 % pour ChangXin.
Après son introduction sur le Sci-Tech board, la capitalisation boursière de ChangXin Technology reste supérieure à 3 000 milliards de yuans et a même brièvement dépassé 4 000 milliards de yuans. Elle cessera dès lundi prochain la période sans limites de variation des prix et entrera dans la phase de négociation habituelle.
