ব্লকবিটস সংবাদ, ৯ সেপ্টেম্বর, সিউল ইকোনমিক ডেইলির প্রতিবেদন অনুযায়ী, স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স বিশ্বের সবচেয়ে বড় লিথোগ্রাফি যন্ত্র নির্মাতা ASML-এর সাথে উচ্চ নিউমেরিক্যাল অ্যাপারচার (High-NA) এক্সট্রিম আলট্রা-ভায়োলেট (EUV) লিথোগ্রাফি প্রযুক্তি বিকাশে একত্রিত হচ্ছে। স্যামসাং ১৯৮০-এর দশক থেকে ব্যবহৃত 6-ইঞ্চি মাস্ক প্লেটকে 12-ইঞ্চি সংস্করণে রূপান্তরিত করার লক্ষ্যে শিল্পমানদণ্ডের পরিবর্তনের দিকে এগিয়ে যাচ্ছে এবং উচ্চ NA EUV ডিভাইসের ভিত্তিতে DRAM-এর বড়পরিমাণের উৎপাদন ব্যবস্থা প্রতিষ্ঠা করতে আগে যাওয়ার লক্ষ্যে কাজ করছে।
স্যামসাং 2028 থেকে DRAM উৎপাদনে হাই-NA EUV ডিভাইস ব্যবহার শুরু করবে, এরপর এই প্রযুক্তিকে 1.4 ন্যানোমিটার অ্যাডভান্সড লজিক প্রসেসে বিস্তার করে তার ওয়েফার কন্ট্রাক্ট ম্যানুফ্যাকচারিং ব্যবসা উন্নয়নে সহায়তা করবে। EUV প্রযুক্তির সীমাবদ্ধতা পূরণের জন্য মাস্ক সাইজ বড় করা হচ্ছে। হাই-NA EUV-এর নিউমেরিক্যাল অ্যাপারচার প্রচলিত EUV-এর চেয়ে 66% বেশি, যা আরও সূক্ষ্ম সার্কিট প্যাটার্ন তৈরি করতে সক্ষম। 6-ইঞ্চি মাস্ককে 12-ইঞ্চি মাস্কে প্রতিস্থাপন করলে ওয়েফার ফ্যাক্টরির উৎপাদনশীলতা বৃদ্ধি পাবে এবং চিপ তৈরির খরচ কমবে।