من المتوقع أن تستأنف TSMC أخيرًا تقليل حجم SRAM باستخدام عقدتها A14، بعد توقف بدأ بعد عقدة N5، وفقًا لتقارير وسائل الإعلام الكورية. ظلت أحجام خلايا SRAM عند 0.021 ميكرومتر مربع لمدة ثمانية سنوات تقريبًا منذ إدخال عملية N5 (5 نانومتر) في عام 2020. ومع ذلك، من المتوقع أن ينخفض حجم خلية SRAM 6T عالية الكثافة (ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة) إلى أقل من 0.017 ميكرومتر مربع مع A14. وأشارت وسائل الإعلام الكورية إلى أن هذا سيضع TSMC في مقدمة عملية Intel 18A، التي أبلغت عنها Intel عن حجم خلية عالية الكثافة قدره 0.021 ميكرومتر مربع وكثافة ماكرو SRAM قصوى تبلغ 38.1 ميغابت/مليمتر مربع في مؤتمر ISSCC العام الماضي. تُستخدم SRAM كذاكرة تخزين مؤقت فائقة السرعة داخل وحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسومات ومحفزات الذكاء الاصطناعي. وتساعد الخلايا الأصغر—أصغر خلايا الذاكرة الفردية—على تضمين المزيد من الذاكرة في نفس المساحة، مما يؤثر مباشرة على الأداء وكفاءة الطاقة. https://t.co/tYuy9jFUD4