كان لدى آبل حق الوصول إلى كتب مورديها من ذاكرة NAND Flash، وقامت بمراجعتها بقدر كبير لدرجة أنها حصلت حتى على خصم من ديلويت. LMAO #مقاطعةآبل https://t.co/Qe6YiArp9G
وفقًا لمصدر إخباري صيني قاري، جيميان نيوز (界面新闻)، قامت آبل سابقًا بتفكيك بعض معايير ضمان الجودة المرتبطة بالعائد بسبب قدرة إنتاج محدودة لجهاز iPhone Duo. ووفقًا للتقارير، زاد هذا من احتمالية وصول وحدات عرضة لأعطال الشاشة إلى السوق. إن ضمان جودة آبل لجهاز iPhone Duo هو الأسوأ في تاريخ الشركة.
من المتوقع أن تستأنف TSMC أخيرًا تقليل حجم SRAM باستخدام عقدتها A14، بعد توقف بدأ بعد عقدة N5، وفقًا لتقارير وسائل الإعلام الكورية. ظلت أحجام خلايا SRAM عند 0.021 ميكرومتر مربع لمدة ثمانية سنوات تقريبًا منذ إدخال عملية N5 (5 نانومتر) في عام 2020. ومع ذلك، من المتوقع أن ينخفض حجم خلية SRAM 6T عالية الكثافة (ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة) إلى أقل من 0.017 ميكرومتر مربع مع A14. وأشارت وسائل الإعلام الكورية إلى أن هذا سيضع TSMC في مقدمة عملية Intel 18A، التي أبلغت عنها Intel عن حجم خلية عالية الكثافة قدره 0.021 ميكرومتر مربع وكثافة ماكرو SRAM قصوى تبلغ 38.1 ميغابت/مليمتر مربع في مؤتمر ISSCC العام الماضي. تُستخدم SRAM كذاكرة تخزين مؤقت فائقة السرعة داخل وحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسومات ومحفزات الذكاء الاصطناعي. وتساعد الخلايا الأصغر—أصغر خلايا الذاكرة الفردية—على تضمين المزيد من الذاكرة في نفس المساحة، مما يؤثر مباشرة على الأداء وكفاءة الطاقة. https://t.co/tYuy9jFUD4
ربما جاء أعمق استنتاج من أخبار صناعة الذاكرة في الأيام القليلة الماضية من تيم آرشر، الرئيس التنفيذي لشركة Lam Research. في مكالمة الإعلان عن النتائج المالية بتاريخ 21 أكتوبر 2026، شرح آرشر أن التبني المتزايد لـ SLC NAND للذكاء الاصطناعي يمكن أن يزيد من قدرة الألواح المطلوبة لتوفير نفس كمية التخزين. دعونا نلقي نظرة أعمق. بشكل محدد، فإن الانتقال من منتجات TLC إلى منتجات SLC يقلل عدد البتات المخزنة لكل خلية إلى حوالي ثلث. ونتيجة لذلك، قال إنه لكل زيادة بنسبة 1% في حصة SLC من إجمالي بتات NAND، سيتطلب ذلك حوالي 2% إضافية من قدرة الألواح لتلبية نفس الطلب الكلي على البتات. قد يتساءل بعض القراء عما إذا كان SLC نهجًا قديمًا لإنتاج NAND، يُستخدم أساسًا في المنتجات القديمة. ليس كذلك على الإطلاق. SLC هو مجال واعد للغاية يمكن أن يلعب دورًا في NAND مشابهًا للدور الذي تلعبه HBM في DRAM. عملاء NAND، بما في ذلك NVIDIA والمشغلون الكبار، يطورون منتجات الجيل القادم القائمة على SLC. داخل نظام NVIDIA، يركز التركيز على XL-Flash القائم على SLC، المعروف أيضًا باسم NAND عالي IOPS. خارج نظام NVIDIA، يُستخدم SLC أيضًا كأساس لـ HBF. ببساطة، فإن مطابقة سعة التخزين لواحدة من ألواح TLC تتطلب حوالي ثلاثة ألواح SLC، بينما مطابقة واحدة من ألواح QLC تتطلب حوالي أربعة. مع تصاعد إنتاج هذه المنتجات القائمة على SLC، ستستهلك كمية متزايدة من قدرة ألواح NAND. تمامًا كما أدت HBM إلى نقص في DRAM، يمكن لهذه المنتجات أن تخلق ديناميكية مشابهة في NAND. مع بدء إنتاج HBF وXL-Flash بكميات كبيرة في عامي 2028 و2027 على التوالي، أعتقد أنه ينبغي لنا أن نفكر فيما إذا كانت توقعات بعض المحللين بأن أسعار NAND ستبدأ في الانخفاض في الربع الرابع من عام 2027 قد تكون متحفظة أكثر من اللازم.
LMAOOOO، لا يزال مدراء شركات تصنيع المواد الأساسية في تايوان عالقين في هذا التفكير القديم الذي يدّعي أن شركة Nittobo اليابانية تكره شركة سامسونغ الكورية، لذا ستزود سامسونغ بكمية أقل من ألياف الزجاج، ولن تتمكن شركة سامسونغ إلكترو-ميكانيكز من زيادة الطاقة الإنتاجية؟؟ LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
أثار ميكرون إثاري منذ الشريحة الأولى.😭😭 https://t.co/arYOik7Eyq
هل سيتم اعتماد الترابط الهجين (W2W) قبل EUV عالي NA؟ https://t.co/IOs2QsX8iO
يبدو أن ميكرون تطور أيضًا zHBM. 👀👀 https://t.co/3tL0wuqjg5
هـم... يبدو أن ميكرون ستنتقل مباشرة إلى DRAM ثلاثية الأبعاد. https://t.co/PuFm0vAYXM