بخصوص الادعاء بأن TSMC ستدخل سوق الذاكرة وتُحدث خللاً في الشركات الثلاث الكبرى للذاكرة هذا لا معنى له. حسبما أعرف، تعمل TSMC على هذا المشروع لأكثر من خمس سنوات، لكن سيكون خطأً الافتراض أن ما تبنيه هو ذاكرة DRAM عادية. TSMC لا تمتلك أي براءات اختراع أو تقنيات ذات صلة بـ DRAM. أعتقد أن مصطلح "3D DRAM" هو ما يسبب سوء الفهم. بعد التحدث مع خبراء الصناعة، أعتقد أن الطريقة الصحيحة لقراءة التقارير حول دخول TSMC إلى سوق DRAM هي كالتالي: أبحاث TSMC المنشورة سابقاً تعطي فكرة جيدة عن الاتجاه. في مؤتمر VLSI 2025، عرضت TSMC تقنية ذاكرة مبنية على أشباه الموصلات الأكسيدية، باستخدام خلية مكونة من ترانزستور واحد ومكثف واحد (1T1C). كان الهدف هو دمج هذه الذاكرة في رقائق المنطق المتقدمة وتقديم ذاكرة تخزين مؤقت للمعالجات ذات استهلاك طاقة منخفض وتأخير منخفض. الميزة الأساسية في التصميم هي أن مصفوفة الذاكرة مبنية مباشرة داخل طبقات التوصيل الخلفية (BEOL) لرقاقة المنطق. في حين أن ذاكرة DRAM التقليدية تُصنع كرقاقة منفصلة. لبناء مصفوفة الذاكرة داخل طبقات التوصيل لرقاقة منطق متقدمة، استخدمت TSMC ترانزستورات اختيارية بقنوات من أشباه الموصلات الأكسيدية ومكثفات مصنوعة بعملية درجة حرارة منخفضة. وفقاً لـ TSMC، عملت الرقاقة التجريبية، التي تدمج الذاكرة والمنطق على رقاقة واحدة، عند جهد 0.75 فولت. تجاوز احتفاظ البيانات 128 مللي ثانية، وكان زمن دورة القراءة/الكتابة العشوائية أقل من 8 نانوثانية، وتجاوزت المتانة 10¹⁴ دورة. ووضعت TSMC هذه التقنية كذاكرة تخزين مؤقت للمعالج تقدم كثافة أعلى من SRAM مع الحفاظ على استهلاك طاقة منخفض وتأخير منخفض. إذن، ستنتج TSMC 3D DRAM كتقنية من الجيل التالي لاستبدال SRAM. ولن تُنتجها بكميات كبيرة أيضاً. أي شخص يقول إن TSMC ستنتج DDR أو LPDDR لا يفهم شيئاً عن الموضوع.